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Spin-orbit interaction and group-V donor lasing from silicon

Shastin, V.N. und Zhukavin, R.Kh. und Kovalevsky, K.A. und Tsyplenkov, V.V. und Pavlov, S.G. und Abrosimov, N.V. und Riemann, H. und Hübers, Heinz-Wilhelm (2012) Spin-orbit interaction and group-V donor lasing from silicon. ICPS 2012, 2012-07-29 - 2012-08-03, Zürich, Schweiz.

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Kurzfassung

In this report we focus on the spin-orbit interaction which lifts the degeneracy of the 1s(T2) multiplet of bismuth (Bi) and antimony (Sb) donors in silicon. As experimentally shown it influences on THz laser spectrum of pointed impurity centers under their optical CO2 laser excitation. Note here that in unstressed silicon crystal stimulated emission is based on the 2p(+/-) -1s(T2) intracenter transitions in Bi donor and the 2p0-1s(T2) transitions in Sb. Special attention is paid to the influence of the axial compression stress applied along [100] and [110] crystallographic axes on the laser states and laser frequencies. As shown the axial stress in Si:Bi and Si:Sb shifts the laser lines that has not been observed for Si:P and Si:As where the spin-orbit effect is negligible. In addition in Si:Bi the [100] stress higher than 2kbar switches the upper laser state to the 2p0. Moreover spectrum measurements demonstrate that Bi donors in stressed silicon lase on the states bounded to the upper 4-delta valleys of the conduction band. The experimental data are discussed and the laser frequencies compared with theoretical calculations of donor energy levels.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/78305/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Poster)
Titel:Spin-orbit interaction and group-V donor lasing from silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Shastin, V.N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Kovalevsky, K.A.Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, V.V.Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, S.G.sergeij.pavlov (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N.V.Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.Institute of Crystal Growth, BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmHeinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2012
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Status:veröffentlicht
Stichwörter:silicon, spin-orbit interaction
Veranstaltungstitel:ICPS 2012
Veranstaltungsort:Zürich, Schweiz
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsbeginn:29 Juli 2012
Veranstaltungsende:3 August 2012
Veranstalter :ETH, Zürich
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Verkehr
HGF - Programmthema:Verkehrsmanagement (alt)
DLR - Schwerpunkt:Verkehr
DLR - Forschungsgebiet:V VM - Verkehrsmanagement
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):V - Projekt FAMOUS 2 (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Experimentelle Planetenphysik
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:12 Nov 2012 07:23
Letzte Änderung:24 Apr 2024 19:44

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