elib
DLR-Header
DLR-Logo -> http://www.dlr.de
DLR Portal Home | Impressum | Kontakt | English
Schriftgröße: [-] Text [+]

Raman lasers due to scattering on donor electronic resonances in silicon

Pavlov, S.G. und Hübers, H.-W. und Böttger, U. und Abrosimov, N.V. und Riemann, H. und Shastin, V.N. und Redlich, B. und van der Meer, A.F.G. (2009) Raman lasers due to scattering on donor electronic resonances in silicon. In: Book of Abstracts of the 25th Int. Conf. on Defects in Semiconductors, Seite 102. Ioffe Institute. 25th International Conference on Defects in Semiconductors, 20-24 Jul 2009, St Petersburg, Russia. ISBN 978-5-93634-048-2.

Dieses Archiv kann nicht den gesamten Text zur Verfügung stellen.

Kurzfassung

New principals to generate stimulated emission in terahertz frequency range from silicon doped by shallow donor centers have been demonstrated. Lasing in the frequency bands cov-ering the range of 5.0 –6.7 THz, has been achieved from silicon crystals doped by all group-V donors under optical pumping by radiation of frequency-tunable mid-infrared free electron laser at cryogenic temperatures. Analysis of the data shows that the emission corresponds to Stokes-shifted Raman-type lasing. The Stokes shift is determined by the 1s(E)-1s(A1) donor electronic resonance.

Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:Raman lasers due to scattering on donor electronic resonances in silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Pavlov, S.G.NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, H.-W.NICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, U.NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N.V.Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
Riemann, H.Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
Shastin, V.N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Redlich, B.FOM Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands
van der Meer, A.F.G.FOM Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands
Datum:Juli 2009
Erschienen in:Book of Abstracts of the 25th Int. Conf. on Defects in Semiconductors
Referierte Publikation:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Seitenbereich:Seite 102
Verlag:Ioffe Institute
ISBN:978-5-93634-048-2
Status:veröffentlicht
Stichwörter:electronic Raman scattering, silicon laser
Veranstaltungstitel:25th International Conference on Defects in Semiconductors
Veranstaltungsort:St Petersburg, Russia
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsdatum:20-24 Jul 2009
Veranstalter :Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):W - Projekt SOFIA (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Dr. Sergey Pavlov
Hinterlegt am:06 Jan 2010 21:06
Letzte Änderung:21 Jan 2010 13:11

Nur für Mitarbeiter des Archivs: Kontrollseite des Eintrags

Blättern
Suchen
Hilfe & Kontakt
Informationen
electronic library verwendet EPrints 3.3.12
Copyright © 2008-2013 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt (DLR). Alle Rechte vorbehalten.