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Raman lasers due to scattering on donor electronic resonances in silicon

Pavlov, S.G. und Hübers, H.-W. und Böttger, U. und Abrosimov, N.V. und Riemann, H. und Shastin, V.N. und Redlich, B. und van der Meer, A.F.G. (2009) Raman lasers due to scattering on donor electronic resonances in silicon. In: Book of Abstracts of the 25th Int. Conf. on Defects in Semiconductors, Seite 102. Ioffe Institute. 25th International Conference on Defects in Semiconductors, 2009-07-20 - 2009-07-24, St Petersburg, Russia. ISBN 978-5-93634-048-2.

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Kurzfassung

New principals to generate stimulated emission in terahertz frequency range from silicon doped by shallow donor centers have been demonstrated. Lasing in the frequency bands cov-ering the range of 5.0 –6.7 THz, has been achieved from silicon crystals doped by all group-V donors under optical pumping by radiation of frequency-tunable mid-infrared free electron laser at cryogenic temperatures. Analysis of the data shows that the emission corresponds to Stokes-shifted Raman-type lasing. The Stokes shift is determined by the 1s(E)-1s(A1) donor electronic resonance.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/59859/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:Raman lasers due to scattering on donor electronic resonances in silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Pavlov, S.G.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, H.-W.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, U.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N.V.Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, GermanyNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, GermanyNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.FOM Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
van der Meer, A.F.G.FOM Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:Juli 2009
Erschienen in:Book of Abstracts of the 25th Int. Conf. on Defects in Semiconductors
Referierte Publikation:Nein
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Seitenbereich:Seite 102
Verlag:Ioffe Institute
ISBN:978-5-93634-048-2
Status:veröffentlicht
Stichwörter:electronic Raman scattering, silicon laser
Veranstaltungstitel:25th International Conference on Defects in Semiconductors
Veranstaltungsort:St Petersburg, Russia
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsbeginn:20 Juli 2009
Veranstaltungsende:24 Juli 2009
Veranstalter :Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences
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HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):W - Projekt SOFIA (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:06 Jan 2010 21:06
Letzte Änderung:24 Apr 2024 19:24

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