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Terahertz Emission from Phosphor Centers in SiGe and SiGe/Si Semiconductors

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Abrosimov, Nickolay und Riemann, Helge und Radamson, Henry und Bekin, Nickolay und Yablonsky, Artem und Zhukavin, Roman und Drozdov, Yury und Shastin, Valery (2008) Terahertz Emission from Phosphor Centers in SiGe and SiGe/Si Semiconductors. Solid State Phenomena, 131-13, Seiten 613-618. Trans Tech Publications Inc.. DOI: 10.4028/3-908451-43-4.613. ISBN 3-908451-43-4.

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Offizielle URL: http://www.scientific.net/3-908451-43-4/613/

Kurzfassung

Terahertz-range photoluminescence from silicon-germanium crystals and superlattices doped by phosphor has been studied under optical excitation by radiation from a mid-infrared CO2 laser at low temperature. SiGe crystals with a Ge content between 0.9 and 6.5 %, doped by phosphor with a concentration optimal for silicon laser operation, do not exhibit terahertz gain. On the contrary, terahertz-range gain of ~ 2.3 - 3.2 1/cm has been observed for donor-related optical transitions in Si/SiGe strained superlattices at pump intensities above 100 kW/cm2.

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Terahertz Emission from Phosphor Centers in SiGe and SiGe/Si Semiconductors
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, NickolayLeibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin
Riemann, HelgeLeibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin
Radamson, HenryRoyal Institute of Technology, Kista, Sweden
Bekin, NickolayInstitute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia
Yablonsky, ArtemInstitute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia
Zhukavin, RomanInstitute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia
Drozdov, YuryInstitute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia
Shastin, ValeryInstitute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia
Datum:2008
Erschienen in:Solid State Phenomena
Band:131-13
DOI :10.4028/3-908451-43-4.613
Seitenbereich:Seiten 613-618
Verlag:Trans Tech Publications Inc.
ISBN:3-908451-43-4
Status:veröffentlicht
Stichwörter:silicon-germanium, terahertz emission
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DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
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Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Dr. Sergey Pavlov
Hinterlegt am:25 Nov 2008
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:33

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