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Relaxed Si0.7Ge0.3 buffer layers grown on patterned silicon substrates for SiGe n-channel HMOSFETs

Wöhl, G. und Dudek, V. und Graf, M. und Kibbel, H. und Herzog, H.-J. und Klose, M. (2000) Relaxed Si0.7Ge0.3 buffer layers grown on patterned silicon substrates for SiGe n-channel HMOSFETs. Thin Solids Films, 369 (1-2), Seiten 175-181.

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Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Relaxed Si0.7Ge0.3 buffer layers grown on patterned silicon substrates for SiGe n-channel HMOSFETs
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Wöhl, G.Institut für Halbleitertechnik, Universität Stuttgart
Dudek, V.Institut für Mikroelektronik Stuttgart
Graf, M.Institut für Mikroelektronik Stuttgart
Kibbel, H.DaimlerChrysler-AG, Research and Technology, Ulm
Herzog, H.-J.DaimlerChrysler-AG, Research and Technology, Ulm
Klose, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2000
Erschienen in:Thin Solids Films
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:369
Seitenbereich:Seiten 175-181
Status:veröffentlicht
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:37

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