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Raman investigations of GaN films grown by pulsed laser deposition

Klose, M. und Dassow, R. und Gross, M. und Schröder, H. (1998) Raman investigations of GaN films grown by pulsed laser deposition. Journal of Crystal Growth, 189/190, Seiten 666-671.

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Kurzfassung

GaN expitaxial films grown by pulsed laser deposition have been investigated by Raman scattering measurements. Room temperature electron concentrations and mobilities of films grown on 6H-SiC were estimated by A1(LO) mode analyses according to the theory of plasmon-coupled modes yielding values of about n=5xE+16cm^-3 and my=550cm^2/V.s, respectively. The Raman microprobe has served to explore the homogeneity of the films with respect to distributions of the residual strain and carrier concentration.

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Raman investigations of GaN films grown by pulsed laser deposition
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Klose, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Dassow, R.NICHT SPEZIFIZIERT
Gross, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Schröder, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1998
Erschienen in:Journal of Crystal Growth
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:189/190
Seitenbereich:Seiten 666-671
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Pulsed laser deposition, Raman scattering, electron concentration and mobilities.
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:35

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