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Raman scattering at terahertz frequencies enabled by an infrared free electron laser.

Pavlov, S.G. und Deßmann, N. und Zhukavin, R.Kh. und Shastin, V.N. und Hübers, Heinz-Wilhelm und Pohl, Andreas und Redlich, B. und van der Meer, A. F. G. und Winnerl, S. und Schneider, H. und Ortega, J.-M. und Prazeres, R. und Abrosimov, Nickolay (2016) Raman scattering at terahertz frequencies enabled by an infrared free electron laser. the International Conference "Synchrotron and Free electron laser Radiation: Generation and application", 2016-07-04 - 2016-07-07, Novosibirsk, Russia.

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Kurzfassung

In the last decade the use of infrared free electron laser facilities enabled observation of inelastic light (Raman) scattering in THz frequency range. Raman-active intracenter donor transitions in silicon fall into the THz range and serve as outgoing resonances in electronic Stokes scattering. At photon fluxes above 1E24 photon/cm2/s donor-related Raman stimulated emission occurs in the range 4.2-6.5 THz from natural and isotopically enriched silicon crystals with various dopants while the free electron laser wavelength was varied between 18 and 41 μm (7.5-16.5 THz). Study of dynamics of the observed emission shows a transient picosecond-micropulse mode that indicates on significantly larger Raman gain realized in THz Raman silicon lasers.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/106508/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:Raman scattering at terahertz frequencies enabled by an infrared free electron laser.
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Pavlov, S.G.sergeij.pavlov (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Deßmann, N.nils.dessmann (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmHeinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Pohl, Andreasa.pohl (at) dlr.dehttps://orcid.org/0009-0005-5091-6476NICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.FELIX Facility, Radboud University NijmegenNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
van der Meer, A. F. G.FELIX Facility, Radboud University NijmegenNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Winnerl, S.s.winnerl (at) hzdr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Schneider, H.FZD, RossendorfNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Ortega, J.-M.CLIO, Université de Paris Sud, Laboratoire de Chimie Physique, Orsay, FranceNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Prazeres, R.CLIO, Université de Paris Sud, Laboratoire de Chimie Physique, Orsay, FranceNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, NickolayLeibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2016
Referierte Publikation:Ja
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Seitenbereich:Seiten 6-7
Status:veröffentlicht
Stichwörter:FEL, Raman, THz
Veranstaltungstitel:the International Conference "Synchrotron and Free electron laser Radiation: Generation and application"
Veranstaltungsort:Novosibirsk, Russia
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsbeginn:4 Juli 2016
Veranstaltungsende:7 Juli 2016
Veranstalter :Budker Institute of Nuclear Physics SB RAS
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Raumfahrt
HGF - Programmthema:Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Schwerpunkt:Raumfahrt
DLR - Forschungsgebiet:R SY - Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):R - Vorhaben OptoRob (alt), R - Optische Technologien und Anwendungen
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Optische Sensorsysteme
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:11 Okt 2016 07:00
Letzte Änderung:24 Apr 2024 20:11

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