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Fast relaxation of free carriers in compensated germanium

Deßmann, N. und Pavlov, S.G. und Mittendorff, M. und Winnerl, Stephan und Shastin, V.N. und Zhukavin, R.Kh. und Tsyplenkov, V.V. und Abrosimov, Nickolay und Hübers, H.-W. (2013) Fast relaxation of free carriers in compensated germanium. 15th International Symposium on “Ultrafast Phenomena in Semiconductors” (15-UFPS), 2013-08-26 - 2013-08-28, Vilnius, Litauen.

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Kurzfassung

We reported on the observation of ultrafast recombination of free electrons and holes in conventionally doped from a melt n-Ge:Sb:Ga and p-Ge:Ga:Sb crystals (net concentration > 2×1015 cm-3) with high level of compensation, up to 50%.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/87286/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:Fast relaxation of free carriers in compensated germanium
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Deßmann, N.nils.dessmann (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, S.G.sergeij.pavlov (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Mittendorff, M.m.mittendorff (at) hzdr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Winnerl, Stephans.winnerl (at) hzdr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, V.V.Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of SciencesNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, NickolayLeibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, H.-W.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:August 2013
Referierte Publikation:Nein
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Germanium, THz, Terahertz, Detector, Compensation, FEL, Free Electron Laser, Relaxation, Free Carriers
Veranstaltungstitel:15th International Symposium on “Ultrafast Phenomena in Semiconductors” (15-UFPS)
Veranstaltungsort:Vilnius, Litauen
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsbeginn:26 August 2013
Veranstaltungsende:28 August 2013
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Verkehr
HGF - Programmthema:Verkehrsmanagement (alt)
DLR - Schwerpunkt:Verkehr
DLR - Forschungsgebiet:V VM - Verkehrsmanagement
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):V - Projekt OPTIMODE (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Experimentelle Planetenphysik
Hinterlegt von: Deßmann, Nils
Hinterlegt am:08 Jan 2014 14:27
Letzte Änderung:24 Apr 2024 19:53

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