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Fast relaxation of free carriers in compensated n- and p-type germanium

Deßmann, N. und Pavlov, S.G. und Mittendorff, Martin und Winnerl, Stephan und Zhukavin, R.Kh. und Tsyplenkov, V.V. und Shengurov, D.V. und Shastin, V.N. und Abrosimov, Nickolay und Riemann, H. und Hübers, Heinz-Wilhelm (2013) Fast relaxation of free carriers in compensated n- and p-type germanium. IRMMW 2013, 2013-09-01 - 2013-09-06, Mainz, Deutschland. doi: 10.1109/IRMMW-THz.2013.6665867.

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Kurzfassung

The relaxation of free holes and electrons in highly compensated germanium doped by gallium (p-Ge:Ga:Sb) and antimony (n-Ge:Sb:Ga) has been studied by a pump-probe experiment with the free-electron laser FELBE at the Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. The relaxation times vary between 20 ps and 300 ps and depend on the incident THz intensity and compensation level. The relaxation times are about five times shorter than previously obtained for uncompensated n-Ge:Sb and p-Ge:Ga. The results support the development of fast photoconductive detectors in the THz frequency range.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/81769/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:Fast relaxation of free carriers in compensated n- and p-type germanium
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Deßmann, N.nils.dessmann (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, S.G.sergeij.pavlov (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Mittendorff, Martinm.mittendorff (at) hzdr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Winnerl, Stephans.winnerl (at) hzdr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, V.V.Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of SciencesNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shengurov, D.V.Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of SciencesNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, NickolayLeibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.Institute of Crystal Growth, BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmHeinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:September 2013
Referierte Publikation:Nein
Open Access:Ja
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
DOI:10.1109/IRMMW-THz.2013.6665867
Status:veröffentlicht
Stichwörter:THz, Terahertz, Detector, Germanium, Free Electron Laser, FEL, time-resolved, Pump-probe
Veranstaltungstitel:IRMMW 2013
Veranstaltungsort:Mainz, Deutschland
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsbeginn:1 September 2013
Veranstaltungsende:6 September 2013
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Verkehr
HGF - Programmthema:Verkehrsmanagement (alt)
DLR - Schwerpunkt:Verkehr
DLR - Forschungsgebiet:V VM - Verkehrsmanagement
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):V - Projekt OPTIMODE (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Experimentelle Planetenphysik
Hinterlegt von: Deßmann, Nils
Hinterlegt am:08 Jan 2014 14:19
Letzte Änderung:24 Apr 2024 19:48

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