Fast relaxation of free carriers in compensated n- and p-type germanium

Deßmann, N. und Pavlov, S.G. und Mittendorff, Martin und Winnerl, Stephan und Zhukavin, R.Kh. und Tsyplenkov, V.V. und Shengurov, D.V. und Shastin, V.N. und Abrosimov, Nickolay und Riemann, H. und Hübers, Heinz-Wilhelm (2013) Fast relaxation of free carriers in compensated n- and p-type germanium. IRMMW 2013, 2013-09-01 - 2013-09-06, Mainz, Deutschland. doi: 10.1109/IRMMW-THz.2013.6665867.

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Kurzfassung

The relaxation of free holes and electrons in highly compensated germanium doped by gallium (p-Ge:Ga:Sb) and antimony (n-Ge:Sb:Ga) has been studied by a pump-probe experiment with the free-electron laser FELBE at the Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. The relaxation times vary between 20 ps and 300 ps and depend on the incident THz intensity and compensation level. The relaxation times are about five times shorter than previously obtained for uncompensated n-Ge:Sb and p-Ge:Ga. The results support the development of fast photoconductive detectors in the THz frequency range.

elib-URL des Eintrags:

https://elib.dlr.de/81769/

Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Vortrag)

Titel:

Fast relaxation of free carriers in compensated n- and p-type germanium

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Deßmann, N.	nils.dessmann (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, S.G.	sergeij.pavlov (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Mittendorff, Martin	m.mittendorff (at) hzdr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Winnerl, Stephan	s.winnerl (at) hzdr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, V.V.	Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shengurov, D.V.	Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, Nickolay	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.	Institute of Crystal Growth, Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	Heinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

September 2013

Referierte Publikation:

Nein

Open Access:

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

DOI:

10.1109/IRMMW-THz.2013.6665867

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

THz, Terahertz, Detector, Germanium, Free Electron Laser, FEL, time-resolved, Pump-probe

Veranstaltungstitel:

IRMMW 2013

Veranstaltungsort:

Mainz, Deutschland

Veranstaltungsart:

internationale Konferenz

Veranstaltungsbeginn:

1 September 2013

Veranstaltungsende:

6 September 2013

HGF - Forschungsbereich:

Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr

HGF - Programm:

Verkehr

HGF - Programmthema:

Verkehrsmanagement (alt)

DLR - Schwerpunkt:

Verkehr

DLR - Forschungsgebiet:

V VM - Verkehrsmanagement

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

V - Projekt OPTIMODE (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Experimentelle Planetenphysik

Hinterlegt von:

Deßmann, Nils

Hinterlegt am:

08 Jan 2014 14:19

Letzte Änderung:

24 Apr 2024 19:48

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