Terahertz-range stimulated emission due to electronic nonlinear frequency conversion in silicon

Pavlov, S.G. und Hübers, H.-W. und Böttger, U. und Eichholz, René und Shastin, V.N. und Abrosimov, N.V. und Riemann, H. und Pohl, H.-J. und Redlich, B. (2010) Terahertz-range stimulated emission due to electronic nonlinear frequency conversion in silicon. In: Silicon Photonics and Photonic Integrated Circuits II (7719), 77190X-1-77190X-5. Photonics Europe 2010 Conference, 2010-04-12 - 2010-04-15, Brussels, Belgium.

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Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1117/12.854500

Kurzfassung

active media that can be used in the range of 5-7 THz. We report on realization of the terahertz-range stimulated emission from monocrystalline natural and isotopically enriched silicon crystals doped by group-V donor centers due to nonlinear frequency conversion. Lasing in the frequency bands of 1.2 – 1.8 THz; 2.5 – 3.4 THz has been achieved from silicon crystals doped by phosphorus and in the frequency band of 4.6 – 6.4 THz from different donors under optical pumping by radiation of mid-infrared free electron laser at cryogenic temperatures. Analysis of the data shows that the emission in high-frequency band corresponds to electronic Stokes-shifted Raman-type lasing. The low-frequency bands indicate on high-order nonlinear frequency conversion processes similar to four-wave mixing accompanied by highenergy intervalley g-phonons and f-phonons of host lattice. These lasers supplement terahertz silicon lasers operating on transitions between donor states.

elib-URL des Eintrags:

https://elib.dlr.de/67350/

Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Vortrag)

Titel:

Terahertz-range stimulated emission due to electronic nonlinear frequency conversion in silicon

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pavlov, S.G.	sergeij.pavlov (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, H.-W.	heinz-wilhelm.huebers (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, U.	ute.boettger (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Eichholz, René	rene.eichholz (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N.V.	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.	Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Pohl, H.-J.	VITCON Projectconsult GmbH, Jena, Germany	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.	FOM Institute for Plasma Physics	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2010

Erschienen in:

Silicon Photonics and Photonic Integrated Circuits II

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Seitenbereich:

77190X-1-77190X-5

Name der Reihe:

Proceedings of the SPIE

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

Silicon laser, Terahertz, Raman laser, nonlinear frequency conversion, free electron laser

Veranstaltungstitel:

Photonics Europe 2010 Conference

Veranstaltungsort:

Brussels, Belgium

Veranstaltungsart:

internationale Konferenz

Veranstaltungsbeginn:

12 April 2010

Veranstaltungsende:

15 April 2010

HGF - Forschungsbereich:

Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr

HGF - Programm:

Verkehr

HGF - Programmthema:

Verkehrsmanagement (alt)

DLR - Schwerpunkt:

Verkehr

DLR - Forschungsgebiet:

V VM - Verkehrsmanagement

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

V - FAMOUS (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

04 Jan 2011 21:32

Letzte Änderung:

24 Apr 2024 19:32

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