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Raman lasers due to scattering on donor electronic resonances in silicon

Pavlov, S. G. und Böttger, U. und Abrosimov, N. V. und Riemann, H. und Shastin, V. N: und Redlich, B. und van der Meer, A. F. G. und Hübers, H.-W. (2009) Raman lasers due to scattering on donor electronic resonances in silicon. Physica B: Condensed Matter, 404 (23-24), Seiten 4661-4663. Elsevier. doi: 10.1016/j.physb.2009.08.122.

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323kB

Kurzfassung

New principles to generate stimulated emission in terahertz frequency range from silicon doped by shallow donor centers have been demonstrated. Lasing in the frequency bands covering the range of 4.5–6.4 THz has been achieved from silicon crystals doped by all group-V donors under optical pumping by radiation of frequency-tunable mid-infrared free electron laser at cryogenic temperatures. Analysis of the data shows that the emission corresponds to Stokes-shifted Raman-type lasing. The Stokes shift is determined by the 1s(E)–1s(A1) donor electronic resonance.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/62237/
Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Raman lasers due to scattering on donor electronic resonances in silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Pavlov, S. G.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, U.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N. V.Institute of Crystal GrowthNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.Institute of Crystal GrowthNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V. N:Institute for Phasics of Microstructures, Russian Academy of SciencesNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.FOM Institute for Plasma PhysicsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
van der Meer, A. F. G.FOM Institute for Plasma PhysicsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, H.-W.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2009
Erschienen in:Physica B: Condensed Matter
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Band:404
DOI:10.1016/j.physb.2009.08.122
Seitenbereich:Seiten 4661-4663
Verlag:Elsevier
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Silicon laser; Raman laser; Terahertz
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HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
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DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
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Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:06 Jan 2010 12:35
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:50

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