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Terahertz Raman laser based on silicon doped by phosphorus

Hübers, Heinz-Wilhelm und Pavlov, Sergei G. und Böttger, Ute und Zhukavin, Roman Kh. und Shastin, V.N. und Hovenier, N. und Redlich, B. und Abrosimov, N. und Riemann, H. (2008) Terahertz Raman laser based on silicon doped by phosphorus. In: EOS Annual Meeting 2008, Seite 25. EOS. EOS Annual Meeting 2008, 2008-09-29 - 2008-10-02, Centre de Conventions - Paris-Nord Villepinte (France).

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Offizielle URL: http://www.jeos.org

Kurzfassung

Raman-type simulated emission at frequencies between 5.0 and 5.2 THz as well as between 6.1 and 6.4 THz has been realized in silicon crystals doped by phosphorus donors. The Stokes shift of 3.16 THz is equal to the difference between the energies of the phosphorus ground state, 1 s(A1), and the 1 s(E) excited state.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/56050/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:Terahertz Raman laser based on silicon doped by phosphorus
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, Sergei G.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, UteNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, Roman Kh.Institute for Physics and Microstructures (RU)NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.Institute for Physics and Microstructures (RU)NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, N.Delft University of Technology (NL)NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.FOM-Institute for Plasma Physics(NL)NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N.Leibnitz-Institute of Crystal GrowthNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.Leibnitz-Institute of Crystal GrowthNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:Oktober 2008
Erschienen in:EOS Annual Meeting 2008
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Seitenbereich:Seite 25
Verlag:EOS
Name der Reihe:Journal of the European Optical Society - Rapid Publications
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Terahertz, laser, silicon, Raman
Veranstaltungstitel:EOS Annual Meeting 2008
Veranstaltungsort:Centre de Conventions - Paris-Nord Villepinte (France)
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsbeginn:29 September 2008
Veranstaltungsende:2 Oktober 2008
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W - keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):W - keine Zuordnung (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung
Hinterlegt von: Hübers, Dr. Heinz-Wilhelm
Hinterlegt am:01 Dez 2008
Letzte Änderung:24 Apr 2024 19:20

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