Relaxation of upper laser levels in terahertz silicon lasers

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Zhukavin, Roman und Phillips, Jonathan und Carder, Damian und Hovenier, Niels und Klaassen, Tjeerd und Shastin, Valery (2008) Relaxation of upper laser levels in terahertz silicon lasers. In: 5. IEEE Internation Conference on Group IV Photonics 2008, Seiten 27-28. Institute of Electrical and Electronics Engineers. GVP 2009, 2008-09-17 - 2008-09-19, Sorrento (Italy). ISBN 978-1-4244-1768-1.

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Kurzfassung

Relaxation of lower exited states of group-V donors in silicon which serve as upper working states of intracenter silicon lasers has been experimentally determined. The measurements show that decay times of 2p0 and 2p± states lie in the range of 4-90 ps.

elib-URL des Eintrags:

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Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Vortrag)

Titel:

Relaxation of upper laser levels in terahertz silicon lasers

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pavlov, Sergey	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, Roman	Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Phillips, Jonathan	FEL facility (FELIX) of FOM Institute for Plasma Physics, Ruijnhiuzen, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Carder, Damian	FEL facility (FELIX) of FOM Institute for Plasma Physics, Ruijnhiuzen, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, Niels	Kavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Klaassen, Tjeerd	Kavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, Valery	Institute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

September 2008

Erschienen in:

5. IEEE Internation Conference on Group IV Photonics 2008

Referierte Publikation:

Nein

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Seitenbereich:

Seiten 27-28

Verlag:

Institute of Electrical and Electronics Engineers

ISBN:

978-1-4244-1768-1

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

silicon, electronic capture

Veranstaltungstitel:

GVP 2009

Veranstaltungsort:

Sorrento (Italy)

Veranstaltungsart:

internationale Konferenz

Veranstaltungsbeginn:

17 September 2008

Veranstaltungsende:

19 September 2008

Veranstalter :

IEEE Lasers and Electro-Optics Society (LEOS)

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Schwerpunkt:

Weltraum

DLR - Forschungsgebiet:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

W - Projekt SOFIA (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

25 Nov 2008

Letzte Änderung:

24 Apr 2024 19:20

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