Laser induced molecular beam epitaxy of GaN

Hüttner, B. und Gross, M. und Müller, Th. und Schröder, H. (1998) Laser induced molecular beam epitaxy of GaN. In: European Conference on Laser Treatment of Materials, Seiten 469-474. Werkstoff-Informationsgesellschaft. European Conference on Laser Treatment of Materials, Hanover, 1998. ISBN 3-88355-263-1.

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Kurzfassung

GaN films were grown with reactive laser induced molecular beam epitaxy on sapphire and SiC substrates. The radiation source was a picosecond Nd:YAG laser (1064 nm) with a repetition rate between 2 and 4kHz. As target material fluid gallium in N2-atmosphere (5.E-02 mbar) was used. The GaN films are epitaxially with (0001) orientation. By PL measurements near-band-edge emission was demonstrated.

elib-URL des Eintrags:

https://elib.dlr.de/2030/

Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Paper)

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=1999,

Titel:

Laser induced molecular beam epitaxy of GaN

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Hüttner, B.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Gross, M.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Müller, Th.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Schröder, H.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

1998

Erschienen in:

European Conference on Laser Treatment of Materials

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Seitenbereich:

Seiten 469-474

Herausgeber:

Herausgeber	Institution und/oder E-Mail-Adresse der Herausgeber	Herausgeber-ORCID-iD	ORCID Put Code
Mordike, B.L.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Verlag:

Werkstoff-Informationsgesellschaft

ISBN:

3-88355-263-1

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

Gallium nitride, laser induced molecular beam epitaxy.

Veranstaltungstitel:

European Conference on Laser Treatment of Materials, Hanover, 1998

HGF - Forschungsbereich:

Energie

HGF - Programm:

Luftfahrt

HGF - Programmthema:

keine Zuordnung

DLR - Schwerpunkt:

Energie

DLR - Forschungsgebiet:

L - keine Zuordnung

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

L - Laserforschung und -technologie (alt)

Standort:

Stuttgart

Institute & Einrichtungen:

Institut für Technische Physik

Hinterlegt von:

DLR-Beauftragter, elib

Hinterlegt am:

16 Sep 2005

Letzte Änderung:

06 Jan 2010 14:35

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