Growth of GaN and AlN thin films by laser induced molecular beam epitaxy

Gross, M. und Henn, G. und Schröder, H. (1997) Growth of GaN and AlN thin films by laser induced molecular beam epitaxy. Materials Science & Engineering, 50, Seiten 16-19.

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Kurzfassung

Hexagonal GaN and AIN thin films were grown by laser induced molecular beam epitaxy using Al or Ga metal as target material and N2 as nitrogen source. The films were deposited on sapphire (0001) and SiC (0001) substrates. Epitaxial growth of GaN has been achieved at 730°C and 1.E-03 mbar N2 pressure. The AlN films were polycrystalline with predominant (0001) orientation.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=1999,

Titel:

Growth of GaN and AlN thin films by laser induced molecular beam epitaxy

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Gross, M.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Henn, G.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Schröder, H.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

1997

Erschienen in:

Materials Science & Engineering

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Band:

Seitenbereich:

Seiten 16-19

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

AlN, GaN, laser induced molecular beam epitaxy

HGF - Forschungsbereich:

Energie

HGF - Programm:

Luftfahrt

HGF - Programmthema:

keine Zuordnung

DLR - Schwerpunkt:

Energie

DLR - Forschungsgebiet:

L - keine Zuordnung

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

L - Laserforschung und -technologie (alt)

Standort:

Stuttgart

Institute & Einrichtungen:

Institut für Technische Physik

Hinterlegt von:

DLR-Beauftragter, elib

Hinterlegt am:

16 Sep 2005

Letzte Änderung:

06 Jan 2010 14:35

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