Physical Properties of the Potential Barrier in Pt/n-GaAs Schottky Mixers

Hübers, H.-W. und Röser, H.P. (1998) Physical Properties of the Potential Barrier in Pt/n-GaAs Schottky Mixers. In: Proc. of the 9th Symp. on Space THz Technology, Seiten 521-527. 9th Symp. on Space THz Technology, Pasadena, März 1998.

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elib-URL des Eintrags:

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Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Paper)

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=1999,

Titel:

Physical Properties of the Potential Barrier in Pt/n-GaAs Schottky Mixers

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Hübers, H.-W.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Röser, H.P.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

1998

Erschienen in:

Proc. of the 9th Symp. on Space THz Technology

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Seitenbereich:

Seiten 521-527

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

Schottky diode, potential barrier, fermi level, pinning, terahertz, mixer, metal-semiconductor contact, noise temperature, barrier inhomogeneities

Veranstaltungstitel:

9th Symp. on Space THz Technology, Pasadena, März 1998

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EO - Erdbeobachtung

DLR - Schwerpunkt:

Weltraum

DLR - Forschungsgebiet:

W EO - Erdbeobachtung

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

NICHT SPEZIFIZIERT

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Weltraumsensorik und Planetenerkundung

Hinterlegt von:

DLR-Beauftragter, elib

Hinterlegt am:

16 Sep 2005

Letzte Änderung:

14 Jan 2010 18:18

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