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Experimental investigation of the predicted band structure modification of Mg2X (X: Si, Sn) thermoelectric materials due to scandium addition

Sankhla, Aryan und Yasseri, Mohammad und Kamila, Hasbuna und Müller, Eckhard und de Boor, Johannes (2019) Experimental investigation of the predicted band structure modification of Mg2X (X: Si, Sn) thermoelectric materials due to scandium addition. Journal of Applied Physics. American Institute of Physics (AIP). doi: 10.1063/1.5089720. ISSN 0021-8979.

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Kurzfassung

Modification of the electronic band structure via doping is an effective way to improve the thermoelectric properties of a material. Theoretical calculations from a previous study have predicted that Sc substitution on the Mg site in Mg2X materials drastically increase their Seebeck coefficient. Herein, we experimentally studied the influence of scandium substitution on the thermoelectric properties of Mg2Si0.4Sn0.6 and Mg2Sn. We found that the thermoelectric properties of these materials are unaffected by Sc addition, and we did not find hints for a modification of the electronic band structure. The SEM-energy dispersive X-ray analysis revealed that the scandium does not substitute Mg but forms a secondary phase (Sc-Si) in Mg2Si0.4Sn0.6 and remains inert in Mg2Sn, respectively. Thus, this study proves that scandium is an ineffective dopant for Mg2X materials.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/130554/
Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Experimental investigation of the predicted band structure modification of Mg2X (X: Si, Sn) thermoelectric materials due to scandium addition
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Sankhla, Aryangerman aerospace center, institute of materials research, köln, germanyhttps://orcid.org/0000-0002-1527-6902NICHT SPEZIFIZIERT
Yasseri, MohammadGerman aerospace center, Institute of materials research, Köln, Germany and Justus Liebig university Giessen, Institute of inorganic and analytical chemistry, 35392 Giessen, GermanyNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Kamila, HasbunaGerman aerospace center, Institute of materials research, Köln, GermanyNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Müller, EckhardGerman aerospace center, Institute of materials research, Köln, Germany and Institute for inorganic and analytical chemistry, Justus-Liebig-Universität Gießen, Heinrich-Buff-Ring 58, 35392 Gießen, GermanyNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
de Boor, JohannesGerman aerospace center, institute of materials research, köln, germanyhttps://orcid.org/0000-0002-1868-3167NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:11 Juni 2019
Erschienen in:Journal of Applied Physics
Referierte Publikation:Ja
Open Access:Ja
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Ja
In ISI Web of Science:Ja
DOI:10.1063/1.5089720
Verlag:American Institute of Physics (AIP)
ISSN:0021-8979
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Ball milling; silicides; thermoelectric materials
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HGF - Programm:Raumfahrt
HGF - Programmthema:Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Schwerpunkt:Raumfahrt
DLR - Forschungsgebiet:R SY - Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):R - Systemtechnologien (alt)
Standort: Köln-Porz
Institute & Einrichtungen:Institut für Werkstoff-Forschung > Thermoelektrische Materialien und Systeme
Hinterlegt von: Yasseri, Mohammad
Hinterlegt am:14 Nov 2019 17:39
Letzte Änderung:31 Okt 2023 14:16

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