Crystal growth kinetics in undercooled melts of pure Ge, Si and Ge-Si-alloys.

Herlach, Dieter und Simons, Daniel und Pichon, Pierre-Yves (2018) Crystal growth kinetics in undercooled melts of pure Ge, Si and Ge-Si-alloys. Philosophical Transactions of the Royal Society A (376). Royal Society Publishing. doi: 10.1098/rsta.2017.0205. ISSN 1364-503X.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Titel:

Crystal growth kinetics in undercooled melts of pure Ge, Si and Ge-Si-alloys.

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Herlach, Dieter	Dieter.Herlach (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Simons, Daniel	Daniel.Simons (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Pichon, Pierre-Yves	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2018

Erschienen in:

Philosophical Transactions of the Royal Society A

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

In ISI Web of Science:

DOI:

10.1098/rsta.2017.0205

Verlag:

Royal Society Publishing

ISSN:

1364-503X

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

Crystal growth kinetics in undercooled melts of pure Ge, Si and Ge-Si-alloys.

HGF - Forschungsbereich:

Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr

HGF - Programm:

Raumfahrt

HGF - Programmthema:

Forschung unter Weltraumbedingungen

DLR - Schwerpunkt:

Raumfahrt

DLR - Forschungsgebiet:

R FR - Forschung unter Weltraumbedingungen

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

R - Materialforschung und Mikrogravitation (MuM)

Standort:

Köln-Porz

Institute & Einrichtungen:

Institut für Materialphysik im Weltraum > Wissenschaftliche Experimente

Hinterlegt von:

Hardt, Kim

Hinterlegt am:

10 Apr 2018 12:48

Letzte Änderung:

14 Nov 2023 09:31

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