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Mono- and Polycrystalline Silicon for Terahertz Intracenter Lasers

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Abrosimov, Nickolay und Riemann, Helge (2008) Mono- and Polycrystalline Silicon for Terahertz Intracenter Lasers. Solid State Phenomena, 131-13, Seiten 579-582. Trans Tech Publications Inc.. DOI: 10.4028/3-908451-43-4.579. ISBN 3-908451-43-4.

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Offizielle URL: http://www.scientific.net/3-908451-43-4/579/

Kurzfassung

The performance of optically pumped terahertz silicon lasers with active media made from mono- and polycrystalline silicon doped by phosphorus has been investigated. The polycrystalline silicon samples consist of grains with a characteristic size distribution in the range from 50 to 500 µm. Despite of significant changes of the principal phonon spectrum and increased scattering of phonons at grain boundaries, the silicon laser made from polycrystalline material has a laser threshold and an operation temperature only slightly worse than that of monocrystalline silicon lasers.

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Mono- and Polycrystalline Silicon for Terahertz Intracenter Lasers
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, NickolayLeibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin
Riemann, HelgeLeibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin
Datum:2008
Erschienen in:Solid State Phenomena
Band:131-13
DOI :10.4028/3-908451-43-4.579
Seitenbereich:Seiten 579-582
Verlag:Trans Tech Publications Inc.
ISBN:3-908451-43-4
Status:veröffentlicht
Stichwörter:terahertz laser, polycrystalline silicon
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Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Dr. Sergey Pavlov
Hinterlegt am:25 Nov 2008
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:33

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