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Umrechnung von 2-Tor-S-Parameter in 3-Tor-S-Parameter bei Transistoren.

Haeusler, M. (1994) Umrechnung von 2-Tor-S-Parameter in 3-Tor-S-Parameter bei Transistoren. DLR-Interner Bericht. 551-1/94, 23 S.

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Kurzfassung

Drei-Tor-S-Parameter sind unbeliebt, da sie einen hohen Arbeitsaufwand im Gegensatz zu den Zwei-Tor-S-Parameter mit sich bringen. Der GaAs-FET, ein Dreitorelement, wird deshalb fuer gewoehnlich mit 2-Tor-S-Parameter beschrieben. Diese Arbeit beschreibt ein Programm, welches 2-Tor-S-Parameter der Sourcegrundschaltung in 3-Tor-S-Parameter umwandelt.

Dokumentart:Berichtsreihe (DLR-Interner Bericht)
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1994,
Titel:Umrechnung von 2-Tor-S-Parameter in 3-Tor-S-Parameter bei Transistoren.
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Haeusler, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1994
Seitenanzahl:23
Status:veröffentlicht
Stichwörter:S-Parameter, GaAs-FET
HGF - Forschungsbereich:NICHT SPEZIFIZIERT
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EO - Erdbeobachtung
DLR - Schwerpunkt:NICHT SPEZIFIZIERT
DLR - Forschungsgebiet:W EO - Erdbeobachtung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):NICHT SPEZIFIZIERT
Standort: Oberpfaffenhofen
Institute & Einrichtungen:Institut für Hochfrequenztechnik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:02 Apr 2006
Letzte Änderung:27 Apr 2009 08:56

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