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Umrechnung von 2-Tor-S-Parameter in 3-Tor-S-Parameter bei Transistoren.
Haeusler, M. (1994) Umrechnung von 2-Tor-S-Parameter in 3-Tor-S-Parameter bei Transistoren. DLR-Interner Bericht. 551-1/94, 23 S.
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Abstract
Drei-Tor-S-Parameter sind unbeliebt, da sie einen hohen Arbeitsaufwand im Gegensatz zu den Zwei-Tor-S-Parameter mit sich bringen. Der GaAs-FET, ein Dreitorelement, wird deshalb fuer gewoehnlich mit 2-Tor-S-Parameter beschrieben. Diese Arbeit beschreibt ein Programm, welches 2-Tor-S-Parameter der Sourcegrundschaltung in 3-Tor-S-Parameter umwandelt.
| Document Type: | Monograph (DLR-Interner Bericht) | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Additional Information: | LIDO-Berichtsjahr=1994, | ||||
| Title: | Umrechnung von 2-Tor-S-Parameter in 3-Tor-S-Parameter bei Transistoren. | ||||
| Authors: |
| ||||
| Date: | 1994 | ||||
| Number of Pages: | 23 | ||||
| Status: | Published | ||||
| Keywords: | S-Parameter, GaAs-FET | ||||
| HGF - Research field: | UNSPECIFIED | ||||
| HGF - Program: | Space | ||||
| HGF - Program Themes: | W EO - Erdbeobachtung | ||||
| DLR - Research area: | UNSPECIFIED | ||||
| DLR - Program: | W EO - Erdbeobachtung | ||||
| DLR - Research theme (Project): | UNSPECIFIED | ||||
| Location: | Oberpfaffenhofen | ||||
| Institutes and Institutions: | Microwaves and Radar Institute > Institut für Hochfrequenztechnik Institute of Communication and Navigation > Institut für Hochfrequenztechnik Remote Sensing Technology Institute > Institut für Hochfrequenztechnik | ||||
| Deposited By: | elib DLR-Beauftragter | ||||
| Deposited On: | 02 Apr 2006 | ||||
| Last Modified: | 27 Apr 2009 08:56 |
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