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Umrechnung von 2-Tor-S-Parameter in 3-Tor-S-Parameter bei Transistoren.

Haeusler, M. (1994) Umrechnung von 2-Tor-S-Parameter in 3-Tor-S-Parameter bei Transistoren. DLR-Interner Bericht. 551-1/94, 23 S.

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Abstract

Drei-Tor-S-Parameter sind unbeliebt, da sie einen hohen Arbeitsaufwand im Gegensatz zu den Zwei-Tor-S-Parameter mit sich bringen. Der GaAs-FET, ein Dreitorelement, wird deshalb fuer gewoehnlich mit 2-Tor-S-Parameter beschrieben. Diese Arbeit beschreibt ein Programm, welches 2-Tor-S-Parameter der Sourcegrundschaltung in 3-Tor-S-Parameter umwandelt.

Document Type:Monograph (DLR-Interner Bericht)
Additional Information: LIDO-Berichtsjahr=1994,
Title:Umrechnung von 2-Tor-S-Parameter in 3-Tor-S-Parameter bei Transistoren.
Authors:
AuthorsInstitution or Email of Authors
Haeusler, M.UNSPECIFIED
Date:1994
Number of Pages:23
Status:Published
Keywords:S-Parameter, GaAs-FET
HGF - Research field:UNSPECIFIED
HGF - Program:Space (old)
HGF - Program Themes:W EO - Erdbeobachtung
DLR - Research area:UNSPECIFIED
DLR - Program:W EO - Erdbeobachtung
DLR - Research theme (Project):UNSPECIFIED
Location: Oberpfaffenhofen
Institutes and Institutions:Institut für Hochfrequenztechnik
Deposited By: elib DLR-Beauftragter
Deposited On:02 Apr 2006
Last Modified:27 Apr 2009 08:56

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