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Ultrashort pulse damage of semiconductors

Hüttner, Bernd (2003) Ultrashort pulse damage of semiconductors. In: Proceedings of SPIE, 5273, Seiten 493-499. SPIE. 35th ANNUAL BOULDER DAMAGE SYMPOSIUM, 2003-09-22 - 2003-09-24, BOULDER; COLORADO (USA). ISBN 0-8194-5163-0. ISSN 0277-786X

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Kurzfassung

First, we give a briefly critically discuss the existing definitions of melting and damage thresholds and the different kinds of experimental determinations of the thresholds. Then we investigate the thermal and athermal melting of oxides (wide-band gap semiconductors) and of silicon by solv-ing a rate equation for the excited electrons and a by complete self-consistent solution of a coupled system of differential equations for the electron density and for the electron and phonon temperatures. In particular, we direct our attention to the still open question about the value for the critical electron density in the case of athermal melting.

Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag, Paper)
Titel:Ultrashort pulse damage of semiconductors
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Hüttner, BerndNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2003
Erschienen in:Proceedings of SPIE
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:5273
Seitenbereich:Seiten 493-499
Verlag:SPIE
Name der Reihe:LASER INDUCED DAMAGE IN OPTICAL MATERIALS
ISSN:0277-786X
ISBN:0-8194-5163-0
Stichwörter:melting threshold, semiconductor, laser pulse duration, fs-range
Veranstaltungstitel:35th ANNUAL BOULDER DAMAGE SYMPOSIUM
Veranstaltungsort:BOULDER; COLORADO (USA)
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsdatum:2003-09-22 - 2003-09-24
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:Starrflügler
DLR - Schwerpunkt:Luftfahrt
DLR - Forschungsgebiet:L AR - Starrflüglerforschung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: Dr.rer.nat. Bernd Hüttner
Hinterlegt am:09 Feb 2006
Letzte Änderung:14 Jan 2010 20:53

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