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Fs-laser pulse damage of semiconductors

Hüttner, Bernd (2004) Fs-laser pulse damage of semiconductors. In: Proceedings of SPIE, 5448, Seiten 928-934. SPIE. High Power Laser Ablation V, 2004-04-25 - 2004-04-30, Taos, NM (USA). ISBN 0-8194-5371-4. ISSN 0277-786X

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Kurzfassung

We begin with a brief critical discussion of the existing definitions of melting and damage thresholds and the different kinds of experimental determinations of the thresholds. Then we investigate the thermal and athermal melting of a wide-band gap semiconductor (SiO2) and of silicon by two different methods consisting of a rate equation for the excited electrons and of a complete self-consistent solution of a coupled system of differential equations for the electron density and for the electron and phonon temperatures. In par-ticular, we focus on the role of the critical electron density in the case of athermal melting. Our calculations suggest that this is determined by the critical plasma density. Finally, we conclude with a discussion of the benefits and drawbacks of the two approaches.

Dokumentart:Konferenzbeitrag (Paper, Poster)
Titel:Fs-laser pulse damage of semiconductors
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Hüttner, BerndNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2004
Erschienen in:Proceedings of SPIE
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Nein
Band:5448
Seitenbereich:Seiten 928-934
Verlag:SPIE
Name der Reihe:High-Power Laser Ablation
ISSN:0277-786X
ISBN:0-8194-5371-4
Status:veröffentlicht
Stichwörter:melting threshold, semiconductor, laser pulse duration, fs-range, critical density
Veranstaltungstitel:High Power Laser Ablation V
Veranstaltungsort:Taos, NM (USA)
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsdatum:2004-04-25 - 2004-04-30
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:Starrflügler
DLR - Schwerpunkt:Luftfahrt
DLR - Forschungsgebiet:L AR - Starrflüglerforschung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: Dr.rer.nat. Bernd Hüttner
Hinterlegt am:09 Feb 2006
Letzte Änderung:14 Jan 2010 20:53

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