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Transmission electron microscopic studies of GaN grown on silicon carbide and sapphire by laser induced molecular beam epitaxy

Zhou, H. und Phillipp, F. und Gross, M. und Schröder, H. (1999) Transmission electron microscopic studies of GaN grown on silicon carbide and sapphire by laser induced molecular beam epitaxy. Materials Science & Engineering, B68, Seiten 26-34.

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Kurzfassung

Transmission electron microscopy (TEM) studies have been performed on GaN epitaxial films grown on SiC and sapphire substrates by laser induced molecular beam epitaxy (LIMBE). Similar types of threading discolactions are formed in the GaN epilayers but with different dislocation densities. They have edge, mixed and screw type of Burgers vectors, predominantly the first type. In addition to threading dislocations, inversion domain boundaries are found in the GaN epilayer grown on sapphire. The results suggest that the inversion domain boundaries have Ga-N bonds between domains and the adjacent matrix without displacements along the c-axis in the basal planes.

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Transmission electron microscopic studies of GaN grown on silicon carbide and sapphire by laser induced molecular beam epitaxy
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Zhou, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Phillipp, F.NICHT SPEZIFIZIERT
Gross, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Schröder, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1999
Erschienen in:Materials Science & Engineering
Referierte Publikation:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Band:B68
Seitenbereich:Seiten 26-34
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Gallium nitride, transmission electron microscopy, laser induced molecular beam epitaxy.
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:34

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