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Far-infrared stimulated emission from optically excited bismuth donors in silicon

Pavlov, S.G. und Hübers, H.-W. und Rümmeli, M.H. und Zhukavin, R.Kh. Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod), und Orlova, E.E. und Shastin, V.N. und Riemann, H. (2002) Far-infrared stimulated emission from optically excited bismuth donors in silicon. Applied Physics Letters, 80 (25), Seiten 4717-4719.

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Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=2002,
Titel:Far-infrared stimulated emission from optically excited bismuth donors in silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Pavlov, S.G.NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, H.-W.NICHT SPEZIFIZIERT
Rümmeli, M.H.NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh. Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod), NICHT SPEZIFIZIERT
Orlova, E.E.Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod
Shastin, V.N.Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod
Riemann, H.Institute of Crystal Growth, Berlin
Datum:2002
Erschienen in:Applied Physics Letters
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:80
Seitenbereich:Seiten 4717-4719
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Terahertz, Silizium, Laser, Ferninfrarot, shallow levels
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):NICHT SPEZIFIZIERT
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Weltraumsensorik und Planetenerkundung
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:14 Jan 2010 19:05

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