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Thermal Activation of Valley-Orbit States of Neutral Magnesium in Silicon

Abraham, R. J. S. und Shuman, V. B. und Portsel, L. M. und Lodygin, A. N. und Astrov, Yu. A. und Abrosimov, N. V. und Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Simmons, S. und Thewalt, M. L. W. (2021) Thermal Activation of Valley-Orbit States of Neutral Magnesium in Silicon. Semiconductors, 55 (6), Seite 500. Springer. ISSN 1063-7826.

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Offizielle URL: https://journals.ioffe.ru/articles/50915

Kurzfassung

Interstitial magnesium acts as a moderately deep double donor in silicon, and is relatively easily introduced by diffusion. Unlike the case of the chalcogen double donors, parameters of the even-parity valley-orbit excited states 1s(T2) and 1s(E) have remained elusive. Here we report on further study of these states in neutral magnesium through temperature dependence absorption measurements. The results demonstrate thermal activation from the ground state 1s(A1) to the valley-orbit states, as observed by transitions from the thermally populated levels to the odd-parity states 2p0 and 2p±. Analysis of the data makes it possible to determine the thermal activation energies of transitions from the donor ground state to 1s(T2) and 1s(E) levels, as well as the binding energies of an electron with the valley-orbit excited states. Keywords: magnesium impurity in silicon, deep center, optical spectroscopy.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/146634/
Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Thermal Activation of Valley-Orbit States of Neutral Magnesium in Silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Abraham, R. J. S.Simon Fraser University, Burnaby, British Columbia, CanadaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shuman, V. B.Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Portsel, L. M.Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Lodygin, A. N.Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Astrov, Yu. A.Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N. V.Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), BerlinNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, SergeySergeij.Pavlov (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmHeinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.deNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Simmons, S.Simon Fraser University, Burnaby, British Columbia, CanadaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Thewalt, M. L. W.Simon Fraser University, Burnaby, British Columbia, CanadaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:Juni 2021
Erschienen in:Semiconductors
Referierte Publikation:Ja
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:55
Seitenbereich:Seite 500
Verlag:Springer
ISSN:1063-7826
Status:veröffentlicht
Stichwörter:valley-orbit interaction, silicon, double donors
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HGF - Programm:Raumfahrt
HGF - Programmthema:Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Schwerpunkt:Raumfahrt
DLR - Forschungsgebiet:R SY - Technik für Raumfahrtsysteme
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):R - Detektoren für optische Instrumente
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Optische Sensorsysteme > Terahertz- und Laserspektroskopie
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:02 Dez 2021 10:19
Letzte Änderung:02 Dez 2021 10:19

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