Extremely fast electron capture in moderately doped germanium

Pavlov, S.G. und Deßmann, N. und Mittendorff, M. und Winnerl, S. und Zhukavin, R.Kh. und Tsyplenkov, V.V. und Shengurov, D.V. und Shastin, V.N. und Abrosimov, N.V. und Riemann, H. und Hübers, Heinz-Wilhelm (2013) Extremely fast electron capture in moderately doped germanium. The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON), 22.-26.Jul.2013, Matsue, Japan.

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Kurzfassung

We report the observation of ultrafast capture of free electrons (n-Ge:Sb:Ga) and holes (p-Ge:Ga:Sb) in moderately doped (net concentration > 2×10^15/cm3) Ge with high compensation, up to 50%. The typical range of the relaxation times for photoinduced (far-infrared photo- ionization) transmittance is in the range of 20-300 ps dependent on the sample characteristics and the far-infrared light intensity. Measurements of the photoinduced decay have been carried out by a contactless pump-probe technique at the infrared free electron laser facility at HZDR, Dresden. The observed relaxation times of free charge carriers are up to two orders of magnitude shorter than the ~ 2 ns response time observed in the photoconductive response of neutron transmutation doped isotope-fixed compensated p-Ge:Ga:Se:As. This indicates the potential for very fast broad band detection of infrared pulses by extrinsic photoconductive germanium detectors with optimized doping, compensation, geometry and an appropriate electrical readout circuit.

elib-URL des Eintrags:

https://elib.dlr.de/85089/

Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Vortrag)

Titel:

Extremely fast electron capture in moderately doped germanium

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pavlov, S.G.	sergeij.pavlov (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Deßmann, N.	nils.dessmann (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Mittendorff, M.	FZD, Rossendorf	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Winnerl, S.	FZD, Rossendorf	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Tsyplenkov, V.V.	Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shengurov, D.V.	Institute for Physics of Microstructures, Russain Academy of Sciences	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.	Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N.V.	Institute of Crystal Growth, Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.	Institute of Crystal Growth, Berlin	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-Wilhelm	Heinz-Wilhelm.Huebers (at) dlr.de	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2013

Referierte Publikation:

Nein

Open Access:

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

ultrafast detector, germanium, terahertz

Veranstaltungstitel:

The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON)

Veranstaltungsort:

Matsue, Japan

Veranstaltungsart:

internationale Konferenz

Veranstaltungsdatum:

22.-26.Jul.2013

Veranstalter :

Institute of Industrial Science, University of Tokyo

HGF - Forschungsbereich:

Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr

HGF - Programm:

Verkehr

HGF - Programmthema:

Verkehrsmanagement (alt)

DLR - Schwerpunkt:

Verkehr

DLR - Forschungsgebiet:

V VM - Verkehrsmanagement

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

V - Projekt OPTIMODE (alt)

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung > Experimentelle Planetenphysik

Hinterlegt von:

Pavlov, Dr. Sergey

Hinterlegt am:

19 Nov 2013 14:08

Letzte Änderung:

31 Jul 2019 19:42

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