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Correlation between Crystal Structure and Resistivity of High Temperature Superconductors

Roeser, Hans-Peter und Nikoghosyan, A.S. und Haslam, D.T. und Lopez, J.S. und Stepper, M. und von Schoenermark, M.F. und Huber, F.M. (2011) Correlation between Crystal Structure and Resistivity of High Temperature Superconductors. 8th International Conference on Semiconductor Micro-& Nanoelectronics, 1.-3. July 2011, Yerevan, Armenia. (nicht veröffentlicht)

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Kurzfassung

The paper is an attempt to find a relation between the crystal structure of optimum doped HTSC materials and the experimental resistivity value at about the temperature T(c) where the resistance of a superconducting material vanishes.

Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:Correlation between Crystal Structure and Resistivity of High Temperature Superconductors
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID
Roeser, Hans-Peterroeser@irs.uni-stuttgart.deNICHT SPEZIFIZIERT
Nikoghosyan, A.S.Yerevan State UniversityNICHT SPEZIFIZIERT
Haslam, D.T.Universität StuttgartNICHT SPEZIFIZIERT
Lopez, J.S.Universität StuttgartNICHT SPEZIFIZIERT
Stepper, M.Universität StuttgartNICHT SPEZIFIZIERT
von Schoenermark, M.F.DLR, RB-RFTNICHT SPEZIFIZIERT
Huber, F.M.DLR, RBNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1 Juli 2011
In Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Status:nicht veröffentlicht
Stichwörter:resistivity, high temperature superconductors, geometry parameter of the superconducting unit cell
Veranstaltungstitel:8th International Conference on Semiconductor Micro-& Nanoelectronics
Veranstaltungsort:Yerevan, Armenia
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsdatum:1.-3. July 2011
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Raumfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Raumfahrt
DLR - Forschungsgebiet:R - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):R - keine Zuordnung
Standort: Oberpfaffenhofen
Institute & Einrichtungen:Raumflugbetrieb und Astronautentraining
Hinterlegt von: Schönermark, Maria
Hinterlegt am:30 Jan 2012 09:34
Letzte Änderung:30 Jan 2012 09:34

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