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Lifetimes of operating states in terahertz intracenter silicon lasers

Tsyplenkov, V. V. und Zhukavin, R. Kh. und Kovalevsky, K. A. und Shastin, V. N. und Hübers, H.-W. und Pavlov, S. G. und Abrosimov, N. V. und Phillips, P. J. und Carder, D. A. (2009) Lifetimes of operating states in terahertz intracenter silicon lasers. In: Terahertz and Mid Infrared Radiation: Basic Research and Practical Application, Seiten 85-86. Institute of Electrical and Electronics Engineers. NATO Advanced Research Workshop on Terahertz and Mid Infrared Radiation: Basic Research and Applications, 3-6 Nov 2009, Turunç-Marmaris, Turkey. ISBN 978-1-4244-3850-1.

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Kurzfassung

The result on theoretical and experimental study of principal states relaxation for terahertz range silicon laser based on phosphor and arsenic shallow donor centers are reported. Numerical simulations show that f-TA and f-LA intervalley phonons scattering dominates in laser state relaxation. The theoretical values of relaxation rates fit well to the experimental data obtained by the pump-und-probe modulated transmission technique.

Dokumentart:Konferenzbeitrag (Poster)
Zusätzliche Informationen:Spätere Veröffentlichung zusätzlich in der Reihe: NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics, Springer Verlag
Titel:Lifetimes of operating states in terahertz intracenter silicon lasers
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Tsyplenkov, V. V.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences
Zhukavin, R. Kh.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences
Kovalevsky, K. A.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences
Shastin, V. N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences
Hübers, H.-W.NICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, S. G.NICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N. V.Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin
Phillips, P. J.FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein
Carder, D. A.FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein
Datum:November 2009
Erschienen in:Terahertz and Mid Infrared Radiation: Basic Research and Practical Application
Seitenbereich:Seiten 85-86
Verlag:Institute of Electrical and Electronics Engineers
ISBN:978-1-4244-3850-1
Status:veröffentlicht
Stichwörter:silicon lasers life times terahertz
Veranstaltungstitel:NATO Advanced Research Workshop on Terahertz and Mid Infrared Radiation: Basic Research and Applications
Veranstaltungsort:Turunç-Marmaris, Turkey
Veranstaltungsart:Workshop
Veranstaltungsdatum:3-6 Nov 2009
Veranstalter :IEEE
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):W - Projekt SOFIA (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Dr. Sergey Pavlov
Hinterlegt am:06 Jan 2010 09:23
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:50

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