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Terahertz lasing from silicon by infrared Raman scattering on bismuth centers

Pavlov, S. G. und Böttger, U. und Eichholz, R. und Abrosimov, N. V. und Riemann, H. und Shastin, V. N. und Redlich, B. und Hübers, H.-W. (2009) Terahertz lasing from silicon by infrared Raman scattering on bismuth centers. Applied Physics Letters, 95, Seiten 201110-1. American Institute of Physics. DOI: 10.1063/1.3266837

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Offizielle URL: http://link.aip.org/link/?APPLAB/95/201110/1

Kurzfassung

Stimulated emission at terahertz frequencies (4.5–5.8 THz) has been realized by electronic Raman scattering of infrared radiation on bismuth donor centers in silicon at low temperatures. The Stokes shift of the observed laser emission is 40.53 meV which corresponds to the bismuth intracenter transition between the 1s(A1) ground state and the excited 1s(E) state. The laser has a low optical threshold and the largest frequency coverage in comparison with other Raman silicon lasers based on shallow donor centers. Time-resolved pump spectra enable the separation of donor and Raman lasing.

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Terahertz lasing from silicon by infrared Raman scattering on bismuth centers
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID
Pavlov, S. G.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, U.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Eichholz, R.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N. V.Institute of Crystal GrowthNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.Institute of Crystal GrowthNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V. N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of SciencesNICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.FOM Institute for Plasma PhysicsNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, H.-W.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2009
Erschienen in:Applied Physics Letters
Referierte Publikation:Ja
In Open Access:Nein
In SCOPUS:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:95
DOI :10.1063/1.3266837
Seitenbereich:Seiten 201110-1
Verlag:American Institute of Physics
Status:veröffentlicht
Stichwörter:bismuth, doping, excited states, ground states, Raman spectra, semiconductor lasers, silicon, stimulated emission, stimulated Raman scattering, terahertz wave spectra
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):W - Projekt SOFIA (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:06 Jan 2010 08:42
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:50

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