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Stimulated terahertz emission due to electronic Raman scattering in silicon

Pavlov, S.G. und Hübers, H.-W. und Böttger, U. und Hovenier, J.N. und Abrosimov, N.V. und Riemann, H. und Zhukavin, R.Kh. und Shastin, V.N. und Redlich, B. und van der Meer, A.F.G. (2009) Stimulated terahertz emission due to electronic Raman scattering in silicon. In: Abstracts of the 16th Int. Conf. on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, Seite 174. d'AVL DIFFUSION, Montpellier. 16th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, 24-28 Aug 2009, Montpellier, France.

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Kurzfassung

Silicon-based semiconductors are intensively investigated over the past years as promising candidates for optoelectronic devices at terahertz (THz) frequencies [1]. Optically pumped intracenter silicon lasers, realized in the past decade in the THz range, are based on direct optical transitions between shallow levels of different shallow donors [2]. Recently, terahertz Raman laser emission has been demonstrated in silicon doped by antimony [3] and phosphorus [4]. We report on realization of terahertz lasers based on intracenter electronic Raman scattering in silicon doped by arsenic (Si:As, frequency range 4.8 – 5.1 THz and 5.9 – 6.5 THz) and silicon doped by bismuth (Si:Bi, 4.6 – 5.9 THz) under optical excitation by infrared frequency-tunable free electron laser at low lattice temperatures. The Stokes shift of the observed laser emission is equal to the Raman-active donor electronic transition between the ground 1s(A1) and the excited 1s(E) donor states. Raman terahertz gain of the lasers is similar to those observed for the donor-type terahertz silicon donor lasers.

Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vorlesung)
Titel:Stimulated terahertz emission due to electronic Raman scattering in silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID
Pavlov, S.G.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, H.-W.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, U.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, J.N.Kavli Institute of Nanoscience Delft, DelftNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, N.V.Leibniz Institute of Crystal Growth, BerlinNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.Leibniz Institute of Crystal Growth, BerlinNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of SciencesNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of SciencesNICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.FOM-Institute for Plasma Physics, NieuwegeinNICHT SPEZIFIZIERT
van der Meer, A.F.G.FOM-Institute for Plasma Physics, NieuwegeinNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:August 2009
Erschienen in:Abstracts of the 16th Int. Conf. on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures
Referierte Publikation:Nein
In Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Seitenbereich:Seite 174
Verlag:d'AVL DIFFUSION, Montpellier
Status:veröffentlicht
Stichwörter:terahertz silicon lasers, stimulated Raman scattering
Veranstaltungstitel:16th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures
Veranstaltungsort:Montpellier, France
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsdatum:24-28 Aug 2009
Veranstalter :University of Montpellier
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):W - Projekt SOFIA (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:06 Jan 2010 21:00
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:42

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