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Stimulated terahertz emission due to electronic Raman scattering in silicon

Pavlov, S.G. und Böttger, U. und Hovenier, J.N. und Abrosimov, N.V. und Riemann, H. und Zhukavin, R.Kh. und Shastin, V.N. und Redlich, B. und van der Meer, A.F.G. und Hübers, H.-W. (2009) Stimulated terahertz emission due to electronic Raman scattering in silicon. Applied Physics Letters, 94, Seiten 171112-1. American Institute of Physics. DOI: 10.1063/1.3119662.

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Offizielle URL: http://link.aip.org/link/?APPLAB/94/171112/1

Kurzfassung

Stimulated Raman emission in the terahertz frequency range (4.8–5.1 THz and 5.9–6.5 THz) has been realized by optical excitation of arsenic donor centers in silicon at low temperatures. The Stokes shift of the observed laser emission is 5.42 THz which is equal to the Raman-active donor electronic transition between the ground 1s(A1) and the excited 1s(E) arsenic states. Optical thresholds of the Raman laser are similar to those observed for other silicon donor lasers. In addition intracenter donor lasing has been observed when pumping on the dipole-forbidden 1s(A1)-2s transition.

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Stimulated terahertz emission due to electronic Raman scattering in silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Pavlov, S.G.NICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, U.NICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, J.N.Kavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands
Abrosimov, N.V.Leibniz Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany
Riemann, H.Leibniz Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany
Zhukavin, R.Kh.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Shastin, V.N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Redlich, B.FOM Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands
van der Meer, A.F.G.FOM Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands
Hübers, H.-W.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2009
Erschienen in:Applied Physics Letters
Referierte Publikation:Ja
In Open Access:Nein
In SCOPUS:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:94
DOI :10.1063/1.3119662
Seitenbereich:Seiten 171112-1
Verlag:American Institute of Physics
Status:veröffentlicht
Stichwörter:silicon Raman laser, terahertz laser
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HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
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DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
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Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Dr. Sergey Pavlov
Hinterlegt am:06 Jan 2010 21:10
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:42

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