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THz amplification based on impurity-and transitions in Si/GeSi heterostructures

Shastin, Valery und Zhukavin, Roman und Bekin, Nickolay und Tsyplenkov, Veniamin und Radamson, Henry und Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm (2008) THz amplification based on impurity-and transitions in Si/GeSi heterostructures. In: 4th International Conference on Advanced Optoelectronics and Lasers, Seiten 422-424. CAOL 2008 (4. Annual Conference), [2008-09-29 - 2008-10-04], Alushta (Ukraine). ISBN 978-1-4244-1974-6.

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Kurzfassung

Terahertz stimulated emission based on impurity-band optical transitions of phosphor donor centers embedded in Si/GeSi heterostructures is reported. THz emission was measured from selectively doped Si/GeSi structures excited by CO2 laser radiation. Amplification of 8-9 THz emission with the coefficient of 2-3 1/cm is obtained for structures with gently strained selectively doped Si layers (Nd ≈ 10^17 cm^-3) under pump density of 200 kW/cm2. Corresponding net gain taking into account small overlapping of active layer with THz mode is estimated to be ~ 200-300 1/cm. Experimental data demonstrate the possibility to use impurity-band transitions for THz laser action. The capability of Si/GeSi quantum cascade scheme which can support inverted population on donor-continuum transitions of Si conduction band is also analyzed.

Dokumentart:Konferenzbeitrag (Poster)
Titel:THz amplification based on impurity-and transitions in Si/GeSi heterostructures
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Shastin, ValeryInstitute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia
Zhukavin, RomanInstitute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia
Bekin, NickolayInstitute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia
Tsyplenkov, VeniaminInstitute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, Russia
Radamson, HenryRoyal Institute of Technology, Kista, Sweden
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:September 2008
Erschienen in:4th International Conference on Advanced Optoelectronics and Lasers
Referierte Publikation:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Seitenbereich:Seiten 422-424
ISBN:978-1-4244-1974-6
Status:veröffentlicht
Stichwörter:THz, Si-based heterostructure
Veranstaltungstitel:CAOL 2008 (4. Annual Conference)
Veranstaltungsort:Alushta (Ukraine)
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsdatum:[2008-09-29 - 2008-10-04]
Veranstalter :IEEE Lasers and Electro-Optics Society (LEOS)
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):W - Projekt SOFIA (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Dr. Sergey Pavlov
Hinterlegt am:25 Nov 2008
Letzte Änderung:15 Jan 2010 00:21

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