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Relaxation of upper laser levels in terahertz silicon lasers

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Zhukavin, Roman und Phillips, Jonathan und Carder, Damian und Hovenier, Niels und Klaassen, Tjeerd und Shastin, Valery (2008) Relaxation of upper laser levels in terahertz silicon lasers. In: 5. IEEE Internation Conference on Group IV Photonics 2008, Seiten 27-28. Institute of Electrical and Electronics Engineers. GVP 2009, 2008-09-17 - 2008-09-19, Sorrento (Italy). ISBN 978-1-4244-1768-1.

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465kB

Kurzfassung

Relaxation of lower exited states of group-V donors in silicon which serve as upper working states of intracenter silicon lasers has been experimentally determined. The measurements show that decay times of 2p0 and 2p± states lie in the range of 4-90 ps.

elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/55919/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:Relaxation of upper laser levels in terahertz silicon lasers
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, RomanInstitute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Phillips, JonathanFEL facility (FELIX) of FOM Institute for Plasma Physics, Ruijnhiuzen, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Carder, DamianFEL facility (FELIX) of FOM Institute for Plasma Physics, Ruijnhiuzen, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, NielsKavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Klaassen, TjeerdKavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, ValeryInstitute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:September 2008
Erschienen in:5. IEEE Internation Conference on Group IV Photonics 2008
Referierte Publikation:Nein
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Seitenbereich:Seiten 27-28
Verlag:Institute of Electrical and Electronics Engineers
ISBN:978-1-4244-1768-1
Status:veröffentlicht
Stichwörter:silicon, electronic capture
Veranstaltungstitel:GVP 2009
Veranstaltungsort:Sorrento (Italy)
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsbeginn:17 September 2008
Veranstaltungsende:19 September 2008
Veranstalter :IEEE Lasers and Electro-Optics Society (LEOS)
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):W - Projekt SOFIA (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:25 Nov 2008
Letzte Änderung:24 Apr 2024 19:20

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