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Evidence of noncascade intracenter electron relaxation in shallow donor centers in silicon

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Haas, Philipp und Hovenier, Niels und Klaassen, Tjeerd und Zhukavin, Roman und Shastin, Valery und Carder, Damian und Redlich, Britta (2008) Evidence of noncascade intracenter electron relaxation in shallow donor centers in silicon. Physical Review B, 78, . The American Physical Society. DOI: 10.1103/PhysRevB.78.165201.

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Offizielle URL: http://link.aps.org/abstract/PRB/v78/e165201

Kurzfassung

Noncascade relaxation of photoexcited electrons on ionized donor centers has been observed in silicon doped by arsenic (Si:As) at low temperatures. Emission spectra of the Si:As terahertz intracenter laser give evidence of specific channels for the electron relaxation through low-lying donor states. The dominating relaxation channels strongly depend on the initial energy distribution of the nonequilibrium carriers. A relaxation step may exceed not only the energy gap to an adjacent lower-lying donor level but also the characteristic energy step as set by the energy and momentum conservation requirements for intravalley acoustic phonons.

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Evidence of noncascade intracenter electron relaxation in shallow donor centers in silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERT
Haas, PhilippNICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, NielsKavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands
Klaassen, TjeerdKavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands
Zhukavin, RomanInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, N.Novgorod, Russia
Shastin, ValeryInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, N.Novgorod, Russia
Carder, DamianFOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands
Redlich, BrittaFOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands
Datum:6 Oktober 2008
Erschienen in:Physical Review B
Band:78
DOI :10.1103/PhysRevB.78.165201
Seitenbereich:
Verlag:The American Physical Society
Status:veröffentlicht
Stichwörter:silicon, electronic capture
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Hinterlegt von: Dr. Sergey Pavlov
Hinterlegt am:25 Nov 2008
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:33

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