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Terahertz Raman laser based on silicon doped with phosphorus

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Böttger, Ute und Zhukavin, Roman und Shastin, Valery und Hovenier, Niels und Redlich, Britta und Abrosimov, Nickolay und Riemann, Helge (2008) Terahertz Raman laser based on silicon doped with phosphorus. Applied Physics Letters, 92, 091111-1-091111-3. American Institute of Physics. DOI: 10.1063/1.2890717

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Offizielle URL: http://link.aip.org/link/?APPLAB/92/091111/1

Kurzfassung

Raman-type stimulated emission at frequencies between 5.0 and 5.2 THz as well as between 6.1 and 6.4 THz has been realized in silicon crystals doped by phosphorus donors. The Raman laser operates at around 5 K under optical excitation by a pulsed, frequency-tunable infrared free electron laser. The frequencies of the observed laser emission are close to the frequencies of the intracenter laser lines which originate from the 2p0 and 2p± phosphorus states. The Stokes shift of 3.16 THz is equal to the difference between the energies of the phosphorus ground state, 1s(A1), and the 1s(E) excited state.

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Terahertz Raman laser based on silicon doped with phosphorus
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, UteNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, RomanInstitute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, ValeryInstitute for Physics of Microstructures, RAS, N.Novgorod, RussiaNICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, NielsKavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, BrittaFOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The NetherlandsNICHT SPEZIFIZIERT
Abrosimov, NickolayLeibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), BerlinNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, HelgeLeibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), BerlinNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:4 März 2008
Erschienen in:Applied Physics Letters
In Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Band:92
DOI :10.1063/1.2890717
Seitenbereich:091111-1-091111-3
Verlag:American Institute of Physics
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Raman laser, Silicon laser, THz laser
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HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
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Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Pavlov, Dr. Sergey
Hinterlegt am:25 Nov 2008
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:33

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