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Intracenter Raman silicon lasers

Pavlov, Sergey (2007) Intracenter Raman silicon lasers. Laser Physics, 17 (8), Seiten 1037-1040. MAIK Nauka/Interperiodica distributed exclusively by Springer Science+Business Media LLC.. DOI: 10.1134/S1054660X07080038.

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Offizielle URL: http://www.springerlink.com/content/881t9q65783527v2/?p=eace4cbdb7fe45ceb27a8495c6c53974&pi=2

Kurzfassung

Raman-type Stokes stimulated emission in the far-infrared wavelength range (52–65 μm) has been realized in silicon crystals doped by group-V hydrogen-like donor centers at low temperatures under optical excitation by radiation from a pulsed frequency-tunable infrared free-electron laser. The light scattering appears as an entire intracenter process and occurs on the donor electronic transitions being resonant to the intervalley transverse acoustic g phonon. The outgoing and incoming electronic donor resonances amplify the efficiency of scattering, so that the Raman optical gain increases to the values observed for the infrared room temperature Raman silicon lasers.

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Intracenter Raman silicon lasers
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:16 August 2007
Erschienen in:Laser Physics
Band:17
DOI :10.1134/S1054660X07080038
Seitenbereich:Seiten 1037-1040
Verlag:MAIK Nauka/Interperiodica distributed exclusively by Springer Science+Business Media LLC.
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Raman silicon laser, electron-phonon interaction, far-infrared laser
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Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Dr. Sergey Pavlov
Hinterlegt am:28 Aug 2007
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:27

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