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Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz emission from phosphor and antimony donors in silicon

Zhukavin, Roman und Tsyplenkov, Veniamin und Kovalesky, Konstantin und Shastin, Valery und Pavlov, Sergey und Böttger, Ute und Hübers, Heinz-Wilhelm und Riemann, Helge und Abrosimov, Nikolay und Nötzel, Natalia (2007) Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz emission from phosphor and antimony donors in silicon. Applied Physics Letters, 90, . American Institute of Physics. DOI: 10.1063/1.2431568.

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Kurzfassung

The effect of uniaxial stress on terahertz stimulated emission from phosphor and antimony donors in silicon excited by CO2 laser radiation was studied. The laser action originates from 2p<sub>0</sub>->1s(T<sub>2</sub>) intracenter transitions. A compressive force applied to the silicon crystal decreases the laser threshold by one order of magnitude. The output power depends nonmonotonically on the stress, while the emission frequency does not change. The results are explained by changes of the donor electronic structure, which do not affect the energy gap between the laser states, and a resonant interaction with acoustic f-TA and g-TA phonons that disappears with increasing stress. ©2007 American Institute of Physics

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz emission from phosphor and antimony donors in silicon
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Zhukavin, RomanInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Tsyplenkov, VeniaminInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Kovalesky, KonstantinInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Shastin, ValeryInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERT
Böttger, UteNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, HelgeInstitute of Crystal Growth, 12489 Berlin, Germany
Abrosimov, NikolayInstitute of Crystal Growth, 12489 Berlin, Germany
Nötzel, NataliaInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Datum:29 Januar 2007
Erschienen in:Applied Physics Letters
Band:90
DOI :10.1063/1.2431568
Seitenbereich:
Verlag:American Institute of Physics
Status:veröffentlicht
Stichwörter:antimony; silicon; elemental semiconductors; stress effects; phosphorus; stimulated emission; energy gap; phonon-phonon interactions; impurity states; submillimetre wave spectra
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HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):W - Projekt SOFIA (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Dr. Sergey Pavlov
Hinterlegt am:09 Jul 2007
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:25

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