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Stress-controlled phonon-impurity resonant interactions in terahertz silicon lasers

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Riemann, Helge und Bekin, Nikolay und Zhukavin, Roman und Shastin, Valery (2006) Stress-controlled phonon-impurity resonant interactions in terahertz silicon lasers. In: 12th International Conference on High Pressure Semiconductor Physics, . 12th International Conference on High Pressure Semiconductor Physics (HPSP-12), 2006-07-31 - 2006-08-04, Barcelona (Spain).

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Kurzfassung

Silicon terahertz lasers operate at frequencies between 1 THz and 7 THz under conditions of optical mid-infrared or far-infrared pumping and low lattice temperatures (‹30 K). The intracenter laser mechanism is based on optical transitions between excited states of group-V donors P, Sb, As and Bi, while Stokes stimulated light scattering is responsible for lasing in Si:Sb. In both cases population inversion is realized due to different rates of the phonon-assisted intracenter relaxation of captured electrons. The donor states, resonantly coupled by the interaction with intervalley phonons in the Si lattice, exhibit the shortest lifetimes that determines the specific laser schemes in n-Si. External stress applied to a Si crystal can release the resonant phonon-impurity coupling. By this it changes the laser operation transition and its efficiency.

Dokumentart:Konferenzbeitrag (Poster)
Titel:Stress-controlled phonon-impurity resonant interactions in terahertz silicon lasers
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, HelgeInstitute of Crystal Growth, 12489 Berlin, Germany
Bekin, NikolayInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, N. Novgorod, Russia
Zhukavin, RomanInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, N. Novgorod, Russia
Shastin, ValeryInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, N. Novgorod, Russia
Datum:August 2006
Erschienen in:12th International Conference on High Pressure Semiconductor Physics
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Nein
Seitenbereich:
Herausgeber:
HerausgeberInstitution und/oder E-Mail-Adresse der Herausgeber
University of Barcelona, NICHT SPEZIFIZIERT
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Impurity-phonon interaction, silicon laser
Veranstaltungstitel:12th International Conference on High Pressure Semiconductor Physics (HPSP-12)
Veranstaltungsort:Barcelona (Spain)
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsdatum:2006-07-31 - 2006-08-04
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):W - Projekt SOFIA (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Dr. Sergey Pavlov
Hinterlegt am:10 Okt 2006
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:20

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