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Silicon Stokes terahertz laser

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Hovenier, Jacob Niels und Klaassen, Tjeerd Onno und Carder, Damian A. und Phillips, P. Jonathan und Redlich, Britta und Riemann, Helge und Zhukavin, Roman und Shastin, Valery (2007) Silicon Stokes terahertz laser. In: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (893), Seiten 1445-1446. 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006, 2006-07-24 - 2006-07-28, Vienna (Austria). ISBN 978-0-7354-0397-0.

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Offizielle URL: http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=APCPCS000893000001001445000001&idtype=cvips&gifs=Yes

Kurzfassung

A Raman-type silicon laser at terahertz frequencies has been realized. Stokes-shifted stimulated emission has been observed from silicon crystals doped by antimony donors when optically excited by an infrared free electron laser. The Raman lasing was obtained due to resonant scattering on electronic states of a donor atom. ©2007 American Institute of Physics

Dokumentart:Konferenzbeitrag (Poster)
Titel:Silicon Stokes terahertz laser
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, Jacob NielsKavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands
Klaassen, Tjeerd OnnoKavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands
Carder, Damian A.FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands
Phillips, P. JonathanFOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands
Redlich, BrittaFOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands
Riemann, HelgeInstitute of Crystal Growth, 12489 Berlin, Germany
Zhukavin, RomanInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Shastin, ValeryInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Datum:10 April 2007
Erschienen in:28th International Conference on the Physics of Semiconductors
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Nein
Seitenbereich:Seiten 1445-1446
Name der Reihe:AIP Conference Proceedings
ISBN:978-0-7354-0397-0
Status:veröffentlicht
Stichwörter:semiconductor lasers; silicon; Raman spectra; stimulated emission; free electron lasers
Veranstaltungstitel:28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006
Veranstaltungsort:Vienna (Austria)
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsdatum:2006-07-24 - 2006-07-28
Veranstalter :Austrian Research Centers, Vienna University of Technology, Gesellschaft für Mikro- und Nanoelektronik, Austria
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):W - Projekt SOFIA (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Dr. Sergey Pavlov
Hinterlegt am:10 Jul 2007
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:20

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