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Silicon Donor and Stokes terahertz lasers

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Hovenier, Jacob Niels und Klaassen, Tjeerd Onno und Carder, Damian A. und Phillips, P. Jonathan und Redlich, Britta und Riemann, Helge und Zhukavin, Roman und Shastin, Valery (2006) Silicon Donor and Stokes terahertz lasers. In: The European Material Research Society Conference, . 2006 Spring Meeting, 2006-05-29 - 2006-06-02, Acropolis Congress Center, Nice, France.

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Kurzfassung

In the past few years significant progress has been made towards silicon-based lasers. Numerous approaches in the infrared wavelength range were elaborated to overcome the indirect bandgap structure of silicon, such as nanocrystals, A-centre mediated direct recombination, Si/SiO2 and Si/SiGe superlattices, porous silicon, erbium-doped silicon, and silicon light-emitting diodes. Mid-infrared 1.67 µm Raman silicon laser has been achieved. Recently developed optically pumped silicon-based THz lasers involve direct optical transitions between donor excited states (Intracentre Si Donor laser) or the light scattering at donor centre states coupled by resonant interaction with an inter intervalley transverse acoustic g-phonon in silicon (Brillouin-type Si Stokes laser). Different features of the population inversion mechanisms in the silicon lasers allow covering the frequency range from 1 to 7 THz with a few tenths of mW output power under pumping by mid-infrared pulsed lasers. The laser mechanisms continue a development of basic silicon lasers following the terahertz Si intracentre laser and the infrared Raman Si laser.

Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:Silicon Donor and Stokes terahertz lasers
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, Jacob NielsKavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands
Klaassen, Tjeerd OnnoKavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands
Carder, Damian A.FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands
Phillips, P. JonathanFOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands
Redlich, BrittaFOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands
Riemann, HelgeInstitute of Crystal Growth, 12489 Berlin, Germany
Zhukavin, RomanInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Shastin, ValeryInstitute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Datum:Mai 2006
Erschienen in:The European Material Research Society Conference
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Nein
Seitenbereich:
Herausgeber:
HerausgeberInstitution und/oder E-Mail-Adresse der Herausgeber
E-MRS IUMRS ICEM, NICHT SPEZIFIZIERT
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Terahertz laser, silicon laser
Veranstaltungstitel:2006 Spring Meeting
Veranstaltungsort:Acropolis Congress Center, Nice, France
Veranstaltungsart:internationale Konferenz
Veranstaltungsdatum:2006-05-29 - 2006-06-02
Veranstalter :E-MRS
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):W - Projekt SOFIA (alt)
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Dr. Sergey Pavlov
Hinterlegt am:04 Sep 2006
Letzte Änderung:27 Apr 2009 13:03

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