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Frequency tunability of the terahertz silicon laser by a magnetic field

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Kimmitt, Maurice F. und Riemann, Helge und Shastin, Valery N. (2006) Frequency tunability of the terahertz silicon laser by a magnetic field. Applied Physics Letters, 89 (021108), . American Institute of Physics. DOI: 10.1063/1.2220551.

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Kurzfassung

By applying a magnetic field to the terahertz intracenter silicon laser the degeneracy of the donor states is lifted. In the case of a bismuth doped silicon laser operating at 6 THz it is demonstrated that this effect can be used to tune the emission frequency. The frequency change depends on the relative orientation of the magnetic field and the crystallographic axis of the laser. The tuning rate is 40 - 60 GHz/T. The frequency tunability is explained by the linear Zeeman effect which splits the 2p<sub>/pm</sub> donor state acting as the upper laser level in the Si:Bi laser.

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Frequency tunability of the terahertz silicon laser by a magnetic field
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERT
Kimmitt, Maurice F.Physics Centre, University of Essex, Colchester, United Kingdom
Riemann, HelgeInstitute of Crystal Growth, Berlin, Germany
Shastin, Valery N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Datum:10 Juli 2006
Erschienen in:Applied Physics Letters
Band:89
DOI :10.1063/1.2220551
Seitenbereich:
Verlag:American Institute of Physics
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Terahertz laser, silicon laser, frequency tunability
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Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Dr. Sergey Pavlov
Hinterlegt am:04 Sep 2006
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:20

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