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The Influence of the Surface Accumulation Layer on Transport and Recombination Properties in n-Hg1-xCdxTe

Mahr von Staszewski, G. und Lex, C. und Nimtz, G. und Schilz, J. und Wollrab, R. (1990) The Influence of the Surface Accumulation Layer on Transport and Recombination Properties in n-Hg1-xCdxTe. Chinese Journal of Infrared & Millimeter Waves Page, Vol. 9 (5), Seiten 419-428.

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Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1991,
Titel:The Influence of the Surface Accumulation Layer on Transport and Recombination Properties in n-Hg1-xCdxTe
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Mahr von Staszewski, G.NICHT SPEZIFIZIERT
Lex, C.NICHT SPEZIFIZIERT
Nimtz, G.NICHT SPEZIFIZIERT
Schilz, J.NICHT SPEZIFIZIERT
Wollrab, R.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1990
Erschienen in:Chinese Journal of Infrared & Millimeter Waves Page
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:Vol. 9
Seitenbereich:Seiten 419-428
Status:veröffentlicht
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:keine Zuordnung
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):NICHT SPEZIFIZIERT
Standort: Köln-Porz
Institute & Einrichtungen:Institut für Werkstoff-Forschung
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:02 Apr 2006
Letzte Änderung:27 Apr 2009 12:18

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