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Conduction Mechanism and Noise in Submicron GaAs Schottky-Barrier Diodes.

Hübers, H.W. und Röser, H.P. (1994) Conduction Mechanism and Noise in Submicron GaAs Schottky-Barrier Diodes. In: Proc. of the 19th Internat. Conf. on Infrared and Millimeter Waves, Sendai, Japan, 17-21 Oct. 1994; JSAP Catalog No. AP941228 (1994), Seiten 31-32.

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Dokumentart:Konferenzbeitrag (Paper)
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1995,
Titel:Conduction Mechanism and Noise in Submicron GaAs Schottky-Barrier Diodes.
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Hübers, H.W.NICHT SPEZIFIZIERT
Röser, H.P.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1994
Erschienen in:Proc. of the 19th Internat. Conf. on Infrared and Millimeter Waves, Sendai, Japan, 17-21 Oct. 1994; JSAP Catalog No. AP941228 (1994)
Seitenbereich:Seiten 31-32
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Schottky-Barrier Dioden, Submicron Structure, Electron Conduction
HGF - Forschungsbereich:NICHT SPEZIFIZIERT
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EO - Erdbeobachtung
DLR - Schwerpunkt:NICHT SPEZIFIZIERT
DLR - Forschungsgebiet:W EO - Erdbeobachtung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):NICHT SPEZIFIZIERT
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Institut für Weltraumsensorik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:02 Apr 2006
Letzte Änderung:27 Apr 2009 09:58

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