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Stimulated Terahertz Stokes Emission of Silicon Crystals Doped with Antimony Donors

Pavlov, Sergey und Hübers, Heinz-Wilhelm und Hovenier, Jacob Niels und Klaassen, Tjeerd Onno und Carder, Damian A. und Phillips, P. Jonathan und Redlich, Britta und Riemann, Helge und Zhukavin, Roman Kh. und Shastin, Valery N. (2006) Stimulated Terahertz Stokes Emission of Silicon Crystals Doped with Antimony Donors. Physical Review Letters, 96, . American Physical Society. DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.037404.

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Offizielle URL: http://link.aps.org/abstract/PRL/v96/e037404

Kurzfassung

Stimulated Stokes emission has been observed from silicon crystals doped by antimony donors when optically excited by radiation from a tunable infrared free electron laser. The photon energy of the emission is equal to the pump photon energy reduced by the energy of the intervalley transverse acoustic (TA) g-phonon in silicon (2.92 THz). The emission frequency covers the range of 4.6–5.8 THz. The laser process occurs due to a resonant coupling of the 1s(E) and 1s(A<sub>1</sub>) donor states (separation 2.97 THz) via the g-TA phonon, which conserves momentum and energy within a single impurity center.

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Titel:Stimulated Terahertz Stokes Emission of Silicon Crystals Doped with Antimony Donors
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Pavlov, SergeyNICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, Heinz-WilhelmNICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, Jacob NielsKavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, 2600 GA Delft, The Netherlands
Klaassen, Tjeerd OnnoKavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology, 2600 GA Delft, The Netherlands
Carder, Damian A.FOM-Institute for Plasma Physics, 3439 MN Nieuwegein, The Netherlands
Phillips, P. JonathanFOM-Institute for Plasma Physics, 3439 MN Nieuwegein, The Netherlands
Redlich, BrittaFOM-Institute for Plasma Physics, 3439 MN Nieuwegein, The Netherlands
Riemann, HelgeInstitute of Crystal Growth, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin, Germany
Zhukavin, Roman Kh.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950 Nizhny Novgorod, Russia
Shastin, Valery N.Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950 Nizhny Novgorod, Russia
Datum:27 Januar 2006
Erschienen in:Physical Review Letters
Band:96
DOI :10.1103/PhysRevLett.96.037404
Seitenbereich:
Verlag:American Physical Society
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Stokes lasing, silicon, terahertz
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HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
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Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Planetenforschung > Terahertz- und Infrarotsensorik
Hinterlegt von: Dr. Sergey Pavlov
Hinterlegt am:16 Feb 2006
Letzte Änderung:12 Dez 2013 20:10

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