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Ultrashort pulse damage of Si and Ge semiconductors

Allenspacher, P. und Riede, W. und Hüttner, B. (2002) Ultrashort pulse damage of Si and Ge semiconductors. Boulder Damage Symposium, Boulder, Colorado, USA, 16-18 September 2002.

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Kurzfassung

An investigation of ultrashort pulse damage threshold of semiconductors (Si, Ge) has been carried out. As the source of radiation, a Clark CPA Ti:sapphire laser system (wavelength 775 nm) has been used. It produces laser pulses of 0.5 mJ pulse energy at 1 kHz repetition rate, providing a Gaussian-like beam profile. Compressor detuning allowed to vary the pulse duration from 150 fs to 20 ps. The laser damage thresholds were measured for this pulse duration range. The damage morphologies were investigated with various microscopic inspection techniques like Nomarski DIC, atomic force microscopy and white light interference microscopy.

Dokumentart:Konferenzbeitrag (Paper)
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=2003,
Titel:Ultrashort pulse damage of Si and Ge semiconductors
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Allenspacher, P.NICHT SPEZIFIZIERT
Riede, W.NICHT SPEZIFIZIERT
Hüttner, B.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2002
Status:veröffentlicht
Stichwörter:ultra short pulse damage, semiconductors, Ti:sapphire laser
Veranstaltungstitel:Boulder Damage Symposium, Boulder, Colorado, USA, 16-18 September 2002
Veranstalter :SPIE
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: Dr.rer.nat. Hans-Albert Eckel
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:48

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