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Growth and microstructural characterizations of GaN films grown by laser induced reactive epitaxy

Zhou, H. und Rupp, T. und Phillipp, F. und Henn, G. und Gross, M. und Rühm, A. (Max-Planck-Institut für Metallforschung, Heisenbergstr. 1, 70569 Stuttgart, und Schröder, H. (2003) Growth and microstructural characterizations of GaN films grown by laser induced reactive epitaxy. Journal of Applied Physics, 93 (4), Seiten 1933-1940.

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Kurzfassung

Hexagonal GaN thin films have been grown by laser induced reactive epitaxy (LIRE) and characterized by various techniques. The films were deposited on sapphire (0001) and SiC (0001) without and with a buffer layer. Dislocations with predominant edge type and inversion domains were observed in the films. Dislocation density measured by x-ray diffraction is in fair agreement with that measured by transmission electron microscopy. Studies on the polarity of films indicate that Ga polarity was obtained for the films grown on SiC, while the films grown directly on sapphire were of N polarity. The atomic structure with a displacement of c/8 across the inversion domain boundary was deduced from the fringe contrast analyses and high resolution transmission electron microscopy studies. For the films grown on sapphire, the Ga polarity was achieved by using an AlGaN prelayer coupled with the introduction of low-temperature GaN buffer layer, which led to a clear improvement of the film quality. The typical cathodoluminescence spectra of such GaN films are comparable to those reported in the literature. The present work provides insight into the crystal growth and microstructure of GaN films and indicates that LIRE is a promising method to grow high quality GaN films.

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=2003,
Titel:Growth and microstructural characterizations of GaN films grown by laser induced reactive epitaxy
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Zhou, H.National Institute for Materials Science, Sengen 1-2-1, Tsukuba, Ibaraki 305-0047 Japan
Rupp, T.NICHT SPEZIFIZIERT
Phillipp, F.Max-Planck-Institut für Metallforschung, Heisenbergstr. 1, 70569 Stuttgart
Henn, G.NICHT SPEZIFIZIERT
Gross, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Rühm, A. (Max-Planck-Institut für Metallforschung, Heisenbergstr. 1, 70569 Stuttgart, NICHT SPEZIFIZIERT
Schröder, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2003
Erschienen in:Journal of Applied Physics
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:93
Seitenbereich:Seiten 1933-1940
Status:veröffentlicht
Stichwörter:GaN, laser, reactive epitaxy
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:47

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