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Allenspacher, P. und Riede, W. und Hüttner, B. (2003) Ultrashort pulse damage of Si an Ge semiconductors. In: Proceedings: Laser-Induced Damage in Optical Materials: 2002 and International Workshop on Laser Beam and Optics Characterization, 4932, Seiten 358-365. SPIE. Boulder Damage Symposium, Boulder CO, USA, 16.-18.9.2002. ISBN 0-8194-4727-7.
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Kurzfassung
An investigation of ultrashort pulse damage threshold of semiconductors (Si, Ge) has been carried out. As the source of radiation, a Clark CPA Ti:sapphire laser system (wavelength 775 nm) has been used. It produces laser pulses of 0.5 mJ pulse energy at 1 kHz repetition rate, providing a Gaussian-like beam profile. Compressor detuning allowed to vary the pulse duration from 150 fs to 20 ps. The laser damage thresholds were measured for this pulse duration range. The damage morphologies were investigated with various microscopic inspection techniques like Nomarski DIC, atomic force microscopy and white light interference microscopy.
| elib-URL des Eintrags: | https://elib.dlr.de/2166/ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| Dokumentart: | Konferenzbeitrag (Paper) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Zusätzliche Informationen: | LIDO-Berichtsjahr=2002, | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Titel: | Ultrashort pulse damage of Si an Ge semiconductors | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Autoren: |
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| Datum: | 2003 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Erschienen in: | Proceedings: Laser-Induced Damage in Optical Materials: 2002 and International Workshop on Laser Beam and Optics Characterization | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Open Access: | Nein | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gold Open Access: | Nein | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| In SCOPUS: | Nein | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| In ISI Web of Science: | Nein | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Band: | 4932 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Seitenbereich: | Seiten 358-365 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Herausgeber: |
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| Verlag: | SPIE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Name der Reihe: | Proceedings of SPIE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISBN: | 0-8194-4727-7 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Status: | veröffentlicht | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Stichwörter: | ultrashort laser pulse´, semiconductors, Ti:Sapphire laser, 1-on-1 LIDT, melting threshold | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Veranstaltungstitel: | Boulder Damage Symposium, Boulder CO, USA, 16.-18.9.2002 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Veranstalter : | SPIE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HGF - Forschungsbereich: | Energie | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HGF - Programm: | Luftfahrt | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HGF - Programmthema: | keine Zuordnung | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DLR - Schwerpunkt: | Energie | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DLR - Forschungsgebiet: | L - keine Zuordnung | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben): | L - Laserforschung und -technologie (alt) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Standort: | Stuttgart | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Institute & Einrichtungen: | Institut für Technische Physik | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hinterlegt von: | Eckel, Dr.rer.nat. Hans-Albert | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hinterlegt am: | 16 Sep 2005 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Letzte Änderung: | 06 Jan 2010 14:46 |
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