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Study of Relaxed Si0.7Ge0.3 Buffers Grown on Patterned Silicon Substrates by Raman Spectroscopy

Wöhl, G. und Kasper, E. und Klose, M. und Hackbarth, T. und Kibbel, H. (2001) Study of Relaxed Si0.7Ge0.3 Buffers Grown on Patterned Silicon Substrates by Raman Spectroscopy. GADEST 2001, Catania (Italy), September 30 - October 4, 2001.

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Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=2001,
Titel:Study of Relaxed Si0.7Ge0.3 Buffers Grown on Patterned Silicon Substrates by Raman Spectroscopy
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID
Wöhl, G.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Kasper, E.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Klose, M.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Hackbarth, T.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Kibbel, H.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2001
In Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Status:veröffentlicht
Veranstaltungstitel:GADEST 2001, Catania (Italy), September 30 - October 4, 2001
Veranstalter :CNR-IMETEM
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie (alt)
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: DLR-Beauftragter, elib
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:40

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