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Study of Relaxed Si0.7Ge0.3 Buffers Grown on Patterned Silicon Substrates by Raman Spectroscopy

Wöhl, G. und Kasper, E. und Klose, M. und Hackbarth, T. und Kibbel, H. (2001) Study of Relaxed Si0.7Ge0.3 Buffers Grown on Patterned Silicon Substrates by Raman Spectroscopy. GADEST 2001, Catania (Italy), September 30 - October 4, 2001.

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Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=2001,
Titel:Study of Relaxed Si0.7Ge0.3 Buffers Grown on Patterned Silicon Substrates by Raman Spectroscopy
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Wöhl, G.NICHT SPEZIFIZIERT
Kasper, E.NICHT SPEZIFIZIERT
Klose, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Hackbarth, T.NICHT SPEZIFIZIERT
Kibbel, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2001
Status:veröffentlicht
Veranstaltungstitel:GADEST 2001, Catania (Italy), September 30 - October 4, 2001
Veranstalter :CNR-IMETEM
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:40

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