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Characterization of GaN grown on sapphire by laser-induced molecular beam epitaxy

Zhou, H. und Rühm, A. und Jin-Phillipp, N.Y. und Phillipp, F. und Gross, M. und Schröder, H. (2001) Characterization of GaN grown on sapphire by laser-induced molecular beam epitaxy. Journal of Materials Research, 16 (1), Seiten 261-267.

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Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=2001,
Titel:Characterization of GaN grown on sapphire by laser-induced molecular beam epitaxy
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Zhou, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Rühm, A.NICHT SPEZIFIZIERT
Jin-Phillipp, N.Y.NICHT SPEZIFIZIERT
Phillipp, F.NICHT SPEZIFIZIERT
Gross, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Schröder, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2001
Erschienen in:Journal of Materials Research
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:16
Seitenbereich:Seiten 261-267
Status:veröffentlicht
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:40

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