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IR-RTI oscillations during laser induced epitaxial GaN film growth and the role of free carrier concentration

Hüttner, B. und Gross, M. und Rupp, T. und Schröder, H. (2000) IR-RTI oscillations during laser induced epitaxial GaN film growth and the role of free carrier concentration. Applied Surface Science, 154-155, Seiten 263-268.

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Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=2001,
Titel:IR-RTI oscillations during laser induced epitaxial GaN film growth and the role of free carrier concentration
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Hüttner, B.NICHT SPEZIFIZIERT
Gross, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Rupp, T.NICHT SPEZIFIZIERT
Schröder, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2000
Erschienen in:Applied Surface Science
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:154-155
Seitenbereich:Seiten 263-268
Status:veröffentlicht
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:40

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