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Characterization of GaN epilayers grown on sapphire and SiC substrates

Wieser, N. und Klose, M. und Scholz, F. und Off, J. und Dutrieux, Y. (1998) Characterization of GaN epilayers grown on sapphire and SiC substrates. In: Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Materials Science Forum Fols. 264-268 (1998, Seiten 1355-1358. Trans Tech Publications, Schweiz. International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Schweden, September 1997.

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Dokumentart:Konferenzbeitrag (Paper)
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Characterization of GaN epilayers grown on sapphire and SiC substrates
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Wieser, N.NICHT SPEZIFIZIERT
Klose, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Scholz, F.4.Physik.Institut, Universität Stuttgart
Off, J.4.Physik.Institut, Universität Stuttgart
Dutrieux, Y.4.Physik.Institut, Universität Stuttgart
Datum:1998
Erschienen in:Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials
Band:Materials Science Forum Fols. 264-268 (1998
Seitenbereich:Seiten 1355-1358
Herausgeber:
HerausgeberInstitution und/oder E-Mail-Adresse der Herausgeber
Pensl, G.NICHT SPEZIFIZIERT
Morkoc, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Monemar, B.NICHT SPEZIFIZIERT
Janzen, E.NICHT SPEZIFIZIERT
Verlag:Trans Tech Publications, Schweiz
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Raman scattering, strain, carrier concentration
Veranstaltungstitel:International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Schweden, September 1997
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:36

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